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半導体 プロセス
半導体を勉強していますがプロセスについて質問です。 P型やN型半導体に部分的にアンドープの領域を作ることはできるのでしょうか? もしできるならどのようにするか教えていただけたら嬉しいです。
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どういう構造を作りたいのかよく分かりませんが、 単純に、ドーパントをイオン注入するときにマスクして置けばいいのでは? それとも、本当に真性半導体を得たい、ということですかね。普通、基板はp型が多いと思うので、完全な真性半導体は手に入りにくいですね。(ないことはないですが) 実験室で作るとして、薄い層でいいならエピで作るのが手軽だとは思います。
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- tadys
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intrinsicな領域を持つ半導体は「PINダイオード」として実用されています。 用途は高周波のスイッチやアッテネータなどです。 作りかたは「PINダイオード 製造法」で検索すれば良いでしょう。
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