MOS-FETゲートの回路構成

このQ&Aのポイント
  • MOS-FETをCPUで駆動する際のゲート抵抗設定方法には2通りあります。
  • 一つはCPUポート - ライン抵抗 - 接地抵抗 - FETゲートの接続方法で、もう一つはCPUポート - 接地抵抗 - ライン抵抗 - FETゲートの接続方法です。
  • ?の方法はゲート電圧が大きく取れるため有利ですが、?の方にもメリットとデメリットがあります。
回答を見る
  • ベストアンサー

MOS-FETゲートの回路構成

いつもお世話になります。 表題の件、例えば、MOS-FETをCPUで駆動しようとし、ゲートライン抵抗と接地抵抗を設定する場合、以下の2通りの設定(接続)方法があると思います。 ゲート抵抗設定(接続)方法 ? CPUポート - ライン抵抗 - 接地抵抗 - FETゲート ? CPUポート - 接地抵抗 - ライン抵抗 - FETゲート 自分は?の方法をよく見かけるのですが、 ?の方が、ゲート電圧がより大きく取れて有利だと思えるのですが、 ?にするメリット(デメリット)と ?にするデメリット(メリット)が各々あるのでしょうか? 以上、初歩的質問で恐縮ですが、ご回答の程、お願い致します。

noname#230358
noname#230358
  • 開発
  • 回答数2
  • ありがとう数2

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
noname#230359
noname#230359
回答No.1

毎度JOです。 実際の回路から検証してみます そもそも接地抵抗 はCPUリセット等でCPUポートがHIインピダンスとなった時、 FETの無用な動作を防ぐ働きが主です 従って高速にFETをOFFする必要が有る場合を除き1kΩ程度の大きな値をとります 一方ライン抵抗(ゲート抵抗)はFETのゲート電荷を素早く抜く為に100Ω以下の値になります 仮にこの両抵抗で「分圧」したとしても大した違いは有りません 何れにしても地抵抗はFETをOFFする局面で有効な物で、ON時にはあまり影響しません 設計時にはFETのOFF時に、入力容量と両抵抗器の時定数でFETがOFFします >>? CPUポート - 接地抵抗 - ライン抵抗 - FETゲート この構成でも問題無いと思われます、但しCPUの負荷に両抵抗が並列接続される分重くなります 今回数kΩであればこれも問題有りません ライン抵抗が数kΩと言う所が気になります、リレーの代わりにFETの様ですが ON-OFFが頻繁に行われると、FETの入力容量とライン抵抗の時定数によりFETからの発熱が増えます これはFETが大きくなると入力容量も大きくなり、ドレインの中間電位の時間が長く成る為です せめてライン抵抗は1kΩ程度にされては如何でしょう 1kΩであれば事故があっても、(12Vー5V)/1kΩ=7mAですね

noname#230358
質問者

お礼

早速のご回答有難うございます。 やはり、ライン抵抗(ゲート抵抗)は100Ω程度にした方が良いのですね。 (今回、FETをリレーの様に使用しており、FET故障時にゲートへ電源:12Vが印加されてもCPUが壊れない様に数kΩ入れているので、それがアダになっている様です。) なぜ、? CPUポート - 接地抵抗 - ライン抵抗 - FETゲート は通常使われないのでしょうか? リレーの様に使う場合(高速に動作させない場合)は、問題ない様に思えます。 お礼が遅くなり、申し訳ありません。 危惧される点まで記載頂き、有難うございます。 自分の言葉足らずでしたが、今回のFET使用目的は、製品異常時にOFFする為、スイッチングによる温度は殆どありません。 (製品ON/OFFも頻繁にはありません。) アドバイス通り、ライン抵抗は1kΩ程度で考えます。 以上、有難うございました。

その他の回答 (1)

noname#230359
noname#230359
回答No.2

回答(1)さんがお示しの通りで間違いないと思います。 いずれの場合でも、CPUとFETの距離が離れている場合、直列抵抗は 極力FETに近く配置することが、無用のトラブルを避けることに繋がる と思います。 >?の方が、ゲート電圧がより大きく取れて有利だと思えるのですが、 このご心配については、直流設計の問題です。 ??いずれにしても、直流的にFETを完全にON-OFFできないような状態 では、設計が成立しません。CPUの電源電圧、FETのゲート電圧特性を 考慮して、CPUのポートがhighの場合にFETが完全にON状態となり、 CPUのポートがlowの場合にFETが完全にOFF状態となるようなゲート電圧 特性のFETを選択することが設計の基本です。

noname#230358
質問者

お礼

ご回答有難うございます。 回答(1)さんへのお礼にも書きましたが、FETをリレーの様に使用しており、 ライン抵抗:数kΩ,接地抵抗:数十kΩとしています。 FETに大電流を流すことと、接地抵抗をあまり大きくしたくないことによりゲート電圧が低くなる(+故障時を考慮したライン抵抗)ことが、設計を困難にしていることが分かりました。 ? CPUポート - 接地抵抗 - ライン抵抗 - FETゲート の致命的デメリットがあれば、 設計思想をもう少し見直すべきですね。

関連するQ&A

  • MOS-FETのゲート抵抗について

    趣味で乾電池を電源としたAC100Vを作ってみようと思っており、この昇圧回路にMOS-FET使おうと考えております。 MOS-FETのゲート抵抗と、ゲート-ソース間へ入れる抵抗はどのように計算したら良いのでしょうか?

  • MOS FETについて

    教えて頂きたいのですが、スイッチングレギュレータにおいてトランジスタでは無くMOS FETを使用することのメリットにはどのような事があるのでしょうか? 駆動回路が小さくなるだけでしょうか? IGBTなる物も電圧駆動なので同じなのでしょうか? お願いします。

  • FET回路についてなんですが。

    FETのゲート-ソース間電圧によりドレイン側に接続してあるLEDの輝度を調節したいのですが、FETの周りの抵抗ってどれくらいにしたらいいんでしょうか? FETはMOSで、Nch、エンハンスモード、G-S間電圧5V、ドレイン電流は50mAぐらいを目指しています。

  • MOS-FETの使い方

    MOS-FETではゲートからドレイン&ソース側へ電流が流れる事は無いと認識しています。この性質を利用して下記のような使い方をされる事はあるでしょうか? ・2つの回路をMOS-FETを介して接続する。 ・ゲート側回路(以下、G側回路)からドレイン&ソース側回路(以下 DS側回路)への電流の流入を無くす。 ・ゲート電圧だけを利用してDS側回路へゲート電圧を印加する。

  • パワーMOS-FETの使い方

    マイコンから大電流(最大で2A位)を制御するために今回初めてパワーMOS-FETを使おうと思い NチャンのパワーMOS-FET、PJP75N75を購入しました。 ネットでFETの使い方を調べて実際にブレットボードで動かしたところ 希望どおりの動作をしたので大丈夫だと思うのですが、いまいちよく理解できていないので 以下の使い方で正しいか教えていただけませんでしょうか。 1、マイコンとFETのゲートをそのまま接続しています。 2、ドレインに負荷を接続しています。 3、ソースをGNDに接続しています。 一番不安なのがマイコン→ゲート間なのですがネットで見ると、 この間に抵抗が入っていたりします。今回の場合も必要でしょうか? 必要な場合、抵抗値の選定はどのように計算するのですか? またプルダウンされている場合があるようですがこれはスイッチなどを接続しない場合は 必要ないという認識で大丈夫ですか?(今回はマイコンからの制御なのでフロート状態にはなりません。) マイコンのプログラムばかりやっていて電子回路の知識があまりないため その辺を考慮の上ご説明いただけると助かります。 宜しくお願いします。

  • FETのカスコード回路

    現在2SK30Aを用いたカスコード回路を作製してます。 見にくいですが図載せておきます。 左上が510KΩ、その下が124.3kΩでコンデンサは10μFを使用していて、右上の一つだけ0.1μFを使用してます。 ここで問題なのが、上にあるFETなんですが、下でソース接地をしていて、上でゲート接地をしています。 そこでゲート接地のR1とR2の抵抗をいくらに設定したら良いのか分かりません。 すごい困っていて、抵抗の求め方分かる方是非教えてほしいです。 ホントに困っているのでよろしくお願いします。 追加です、ドレイン電流は0.32[mA]でした。また、Vgs=1.0[V]でソース接地を測定しました。

  • MOS-FETの使い方 2

    OV~8Vの直流電圧の変化をLEDの光に置き換え、CdSの抵抗値を変化させる下図のような回路を製作しています。 電圧の変化はMOS-FETを使って電流に変換しているのですが、MOS-FETの閾値が2Vほどあるので入力電圧が0V~2Vのときの電圧の変化をLEDに反映させることが出来ずに困っています。 数日前にもここでアドバイスして頂きゲート電圧を閾値分シフトする、つまり入力電圧が0VのときVgsに2Vかかるようにすればよいということが分かっているのですが、実際にやってみるとうまくいかず具体的な方法がよく理解できていなかったようです。 できればオペアンプは使わずになるべくシンプルな方法で済ませたいのですが、どなたかアドバイスお願いします。 ちなみにVinはオペアンプ4558の出力です。(http://kazukiakiyoshi.cocolog-nifty.com/photos/schem/image1.jpg)

  • パワーMOS FETによる低電圧スイッチング

    DC1.2Vの電圧をON/OFFする方法を模索しています。電流として8A流し、抵抗負荷となります。リレーでのON/OFFでは接点の熔着が懸念されるのでパワーMOS FET等の半導体デバイスを使用したいと思っています。ON/OFFさせる電圧がDC1.2Vというところで使用できるデバイスがあるのか、また、その時の具体的な使用方法を知りたいと思います。 (DC1.2Vが不可能であれば、何Vからの動作が可能かもお願いいたします。) ゲート電圧ですが、3.3Vのマイコン出力ポートを使用してPWM出力による駆動を考えております。(元電源の電圧はDC4.8V) FETを駆動するためにトランジスター等でレベル変換も必要でしょうか? その時はどのような回路が最適かを合わせてお願いいたします。 不勉強で申し訳ありませんが、宜しくお願いいたします。

  • MOS-FET出力スルーレート

    いつもお世話になります。 MOS-FETのゲートに抵抗を付けて、ON/OFFした場合、その外付ゲート抵抗とゲート容量によって、出力(ドレイン)電圧のスルーレートが遅れると聞きましたが、その場合のスルーレートの計算方法をご教示頂けます様、お願いします。 (波形観測すると、ゲート電圧が一定になった時に、ドレインが立上り(又は立下り)になっており、ゲートとドレインの関係が分かりません。) 以上、宜しくお願いします。

  • FETのドライブ回路を教えて

    50Vと少し高めの電圧駆動の直流モータを正逆転制御したいと考えています。タスキがけ回路、いわゆるブリッジ回路で4個のFETを使います。ものの本にはフローティングドライブでとありましたが、モータの+側電源をゲート回路の-側に接続する回路です。組んでみましたがうまくいきませんでした。 モータ回路の-側をゲート回路の-側に接続すると動作しましたが電源側FETのゲートにはモータ電圧とゲート電圧の合計した過大な電圧が加わりFETを壊しそうです。 単純にはゲート回路電源を2種類作れば(グランド同士は絶縁)うまくいくことは分っているのですが、それでは能がないように思えます。 なにかうまい手はありませんか?