ＣＭＯＳイメージセンサーについて

質問

ソニーからデジタルカメラ用に裏面照射型のＣＭＯＳイメージセンサーが開発されたという記事を目にし，ＣＭＯＳイメージセンサーに興味を持ったのでインターネット等で調べています．

この裏面照射型のイメージセンサーは，従来型のようにカラーフィルタとフォトダイオードの間に配線層がある形では入射光の一部が配線層によって遮断されてしまうという欠点があり，それを克服するために開発されたとのことです．

そこで新たな疑問が生まれたのですが…
なぜ従来のＣＭＯＳイメージセンサーはカラーフィルタとフォトダイオードの間に配線層を置くといった構造をしているのでしょうか？
このような構造にしないといけなかった理由があったのでしょうか？

どなたか詳しい方がおられましたら回答お願いします．

回答No.1

celtis

一般的なIC製造工程が素子形成→配線形成の順序でしたから、その方法を踏襲していただけなのかもしれません。画素数が少なかった頃はそれでも支障がなかったのでしょうが、近年の解像度アップによって微細な配線でも無視できなくなったのでは？
http://www.necel.com/fab/ja/flow.html