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- 半導体工学の問題が分かりません
半導体工学の問題が分かりません 問題は以下の通りのものです。 1.真性Siに不純物を添加して、導電率が5S/cmのp形と抵抗率が2Ωcmのn形不純物半導体を作りたい ただし、温度は室温、真性キャリア密度は1.5×10^10/cm^3、 電子及び正孔移動度は1500cm^2/Vs,500cm^2/Vsとする (1)添加すべき不純物密度はそれぞれいくらか (2)p形、n形半導体のフェルミ準位は、真性フェルミ準位を基準にそれぞれどの位置にあるか (3)拡散電位はどれだけか (4)p形での電子の寿命が1μs,拡散定数が10cm^2/s,n形での正孔の寿命が0.1μs,拡散定数が3cm^2/s であるとき、電子及び正孔によって運ばれる逆方向電流密度はどれだけか (5)このダイオードに0.3Vの順バイアスを加えたとき、流れる電流はどれだけか ただし、接合の断面積は0.3mm^2とする というものです。一応やってみましたが問題から拡散長しか求められません おねがいします。
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- lionmagnas
- 物理学
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- 半導体工学の問題が分かりません
半導体工学の問題が分かりません 問題は以下の通りのものです。 1.真性Siに不純物を添加して、導電率が5S/cmのp形と抵抗率が2Ωcmのn形不純物半導体を作りたい ただし、温度は室温、真性キャリア密度は1.5×10^10/cm^3、 電子及び正孔移動度は1500cm^2/Vs,500cm^2/Vsとする (1)添加すべき不純物密度はそれぞれいくらか (2)p形、n形半導体のフェルミ準位は、真性フェルミ準位を基準にそれぞれどの位置にあるか (3)拡散電位はどれだけか (4)p形での電子の寿命が1μs,拡散定数が10cm^2/s,n形での正孔の寿命が0.1μs,拡散定数が3cm^2/s であるとき、電子及び正孔によって運ばれる逆方向電流密度はどれだけか (5)このダイオードに0.3Vの順バイアスを加えたとき、流れる電流はどれだけか ただし、接合の断面積は0.3mm^2とする というものです。一応やってみましたが問題から拡散長しか求められません おねがいします。
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