Siウエハ前工程の初期段階での処理方法とは？
- Siウエハ前工程の一番初めに行われる処理は、熱処理による表面の欠陥やBMDの除去とDZ層の形成です。
- その後は酸化膜処理が行われます。
- 各メーカーによって異なる場合もありますので、具体的な手順はメーカーの指示に従って行う必要があります。
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前工程の初期段階でのSiウエハ処理
基本的な質問で恐縮です。 半導体向けSiウエハを前工程に投入する際に、一番初めに行う処理を教えていただきたい。 メーカーによって異なるとは思いますが、 １．基本は、熱処理をして、表面にある欠陥？や、BMDなどを飛ばしてDZ層を厚くするのでしょうか？ ２．そのあとに酸化膜処理でしょうか？ ご教示下さい。
- その他（電子・半導体・化学）
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デバイスメーカーによって異なるとは思いますが、ウエハメーカーで表面等の欠陥検査は 契約でやってくるので、ウエハの受け入れ洗浄後に、アイソレーションを行なう工程に 進むと思います。 isolationで、ウエハ表面を分離し、微細回路を構成していく事です。 詳しくは、デバイス処理の文献等を見て下さい。 あまり詳しい事は、守秘義務で言えません。
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補足
アフターユーさん 回答ありがとうございます。 因みにアイソレーションの意味、内容をご教示頂きたく。 宜しくお願い申し上げます。