- 締切済み
半導体大口径450mm化ウェハ規格？
近年首記半導体業界で現在の300mmウェハから450mm化の話が出ておりますが、現時点でSiウェハに関して詳細な規格化が既に完了しているのでしょうか？基本的な部分であるこの規格が定まらないと装置開発など先へ進まないと思うのですが？
- yoshiyoshi9005
- お礼率75% (3/4)
- マーケティング・企画
- 回答数2
- ありがとう数36
- みんなの回答 （2）
- 専門家の回答
関連するQ&A
- 半導体のシリコンウエハについて
大学で電子工学を専攻している学生です。先日、半導体の授業でシリコンウエハについて教わったのですが、素朴な疑問があります。シリコンウエハはなぜ丸い形をしているのでしょうか？作り方もあると思うのですが、チップの形が四角いから四角い形のウエハに作ればいいのになぁと思いました。またサイズも200mmとか300mmとかに決まっているようですが、もっと自由なサイズで作れないものでしょうか？全くの素人な質問ですが、半導体にとても興味があるので、どなたか専門家の方、教えてください。
- ベストアンサー
- 科学
- 半導体のシリコンウエハのサイズについて
半導体を製造する過程でインゴットのサイズが今後20mmから30mmになって行くとネットに記載されていましたが、具体的にはいつ頃から変更されるものでしょうか？ また、素人ながらサイズが大きくなれば量産ができる事がメリットなのでしょうか？ インゴットを1mmにスライスしたものがウエハだと言うことですが、世界的にこの厚さは共通で他の厚さのものは無いのでしょうか？ ご教授下さい。
- 締切済み
- その他（電子・半導体・化学）
- 不純物半導体に添加する不純物の濃度
不純物半導体を作製時にSiウエハに不純物を注入しますが、 基本的にどの程度の量(濃度)を注入するのでしょうか？ 出来たら濃度をppmやppbで表して貰えるとありがたいです。
- 締切済み
- 化学
- 半導体製造ラインのノイズ対策について
半導体製造装置ではプラズマＣＶＤやエッチャー装置など、ウェハーに電子粒子を当てて回路形成していくと聞きましたが、そのような装置ではノイズは発生しないのでしょうか？また、中性子までは飛ばないでしょうが何らかの放射線が出ていそうに思えます。実はこの半導体装置の近くで使用している機器が誤動作して困っています。どなたか情報アドバイスお持ちの方がいらっしゃいましたらお願いいたします。
- ベストアンサー
- 科学
- SEMI規格に関して
半導体ウエハーですが、ノッチやオリフラに関してSEMI規格で規格化されている ようなのですが、どこかのHPでこの規格が分かるとこがありましたら教えて頂けないでしょうか？ 以上、よろしくお願い致します。
- 締切済み
- 電子部品・基板部品
- ウエハを使ったショットキーダイオードの実験で・・・
先日ショットキーダイオードの実験を行いました。 市販の半導体のウエハから切り取った小さな半導体を金属板の上におき、その半導体の上から金属の針で押さえ板と針から電圧をかけて特性を測定しました。 板、針の金属はそれぞれ３種類ほどあり、その組み合わせは全て測定しました。 簡単な装置ですがダイオード特性はちゃんと出てきました。 ですが、半導体をＮ型にして金属板側が表裏（ウエハの研磨してある面としていない面）と変えて測定したとき、まったく逆の特性が出てきました。 Ｐ型で同じ事をしても特性が逆になることはありませんでした。 なぜＮ型のウエハは表と裏で特性が逆になってしまうのでしょうか？ 詳しい方教えてください！ それと市販のダイオードの特性は０．６Ｖくらいから電流が流れ始めると思いますが、実験では２～４Ｖくらいから流れ始めました。誤差にしては大きすぎるので違う理由が考えられると思うのですが・・・。 誰か詳しい方教えてください！ お願いします！
- 締切済み
- その他（学問・教育）
- 前工程の初期段階でのSiウエハ処理
基本的な質問で恐縮です。 半導体向けSiウエハを前工程に投入する際に、一番初めに行う処理を教えていただきたい。 メーカーによって異なるとは思いますが、 １．基本は、熱処理をして、表面にある欠陥？や、BMDなどを飛ばしてDZ層を厚くするのでしょうか？ ２．そのあとに酸化膜処理でしょうか？ ご教示下さい。
- 締切済み
- その他（電子・半導体・化学）
- 半導体製造装置の実験業務とは？
半導体製造装置の研究開発部門での実験業務について教えて下さい。 東京エレクトロンなどの半導体製造装置を開発している研究開発部門では、日々実験などされていますが、クリーンルーム内での実験業務は、どんなことをしているのか、知っている方は教えて下さい。 より細かい内容を教えて頂ければ助かります。 どんな実験機を使い、どんな実験をして、どんな成果を出すかなど 教えて下さいっ。
- ベストアンサー
- その他([技術者向] コンピューター)
- 半導体製造装置について
半導体製造装置についての知識が全くないので、半導体製造装置の所有コストについて説明してある英語の解釈があっているのかどうか自信がありません。 Cost of Ownership commitment is a Cost per Wafer Pass (CPWP) and/or cost per billion pulse(CPBP） and/or Cost per Tool (CPT). とあり、 CPWP is based on the number of wafer passes through the Equipment and total Spare parts consumed by the Equipment. 「CPWPは、装置を通過するウェーハ数および装置が消費するスペア部品の総数に基づく」 CPBP is based on the number of billion pulses through the Equipment and total Spare Parts consumed by the Equipment. 「CPBPは、装置を通過する10億パルスの数および消費するスペア部品の総数に基づく」 CPT is based on the total Spare Parts consumption through the Tool. 「CPTは、ツール全体のスペア部品の消費数に基づく」 という解釈でいいのでしょうか？ 裏付ける知識のない単なる英文解釈ですので、半導体装置についてご存知の方、宜しくお願いします。
- ベストアンサー
- 英語
- 半導体の標準酸化還元電位
Siなどを何かしらの電解液たとえば標準状態のHF水溶液に漬かした時の標準酸化還元電位が-1.37 Vだと調べました．しかしながら疑問がわいたのですが，どうやって測定したのでしょうか？というか，半導体側のどの位置をその電位としたのでしょうか？知る限り，半導体側には空間電荷層が曲がるように入っていて，最表面（電解液と接している部分）と内部の曲がりが終わった部分（フェルミ準位？）の二つの候補が挙げられそうですが，どちらでしょうか？ ちなみに，Siを測定装置に繋げて，参照極との電位差を測れば，安定した電位は得られますが，これが標準酸化還元電位なのでしょうか？この場合は，上で記述した最表面とフェルミ準位のどちらを測定していることになるのでしょうか？？？非常に悩んでおります．どなたかお教え下さいますと助かります．(-_-;)
- 締切済み
- 化学
お礼
大変良く判りました。 有難うございます。 これを読ませて頂いた限り、450mmウェハの規格は、未だ正式なものとして決定されてはいないようですね？ 有難うございました。