SiCの抵抗率の温度依存性について調査した結果
- SiCの抵抗率は温度によって変化することが分かりました。室温から200度、400度、800度と温度を昇温していくと、抵抗率も変化していくことが確認されました。
- 現在の調査範囲では、室温での抵抗率はおよそ10^-4Ωcm程度であり、温度が200度程度に上昇すると約5×10^-3Ωcm程度まで増加することが予測されます。
- 具体的な温度係数については、まだ正確な情報を得ることはできていないため、さらなる文献やサイトの調査が必要です。
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SiCの抵抗率の温度依存性について
SiCの抵抗率の温度依存性について調査しております。 化学便覧や各種物性ハンドブックを見ましたが、的確な情報がなく 困っております。 SiC、ここでは工業用のショット材として使われるカーボランダムのことを指しますが、 室温から200度、400度、800度と温度を昇温していくときの抵抗率（Ωcm）の変化を調査しています。 温度係数や、それが記載されている文献、サイトなんでもかまいませんので ご教授いただければ幸いです。 現在調査した範囲では、室温での抵抗率が10^-4Ωcm程度で200度程度では5×10^-3程度になるのかな？程度です。 （しかも正しいか疑わしい情報）
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論文検索で以下を調べてみてください。 不純物ドーピングの論文ですが、nonedope-SiCの抵抗率温度依存は載っていました。 ちなみに論文検索サイトはscience direct、CiNiiなど使用しています。他にも論文はたくさんあると思いますので、ニーズに合う論文を検索してみてはいかがでしょうか。 論文タイトル ・Macrostructural influence on the thermoelectric properties of SiC ceramics . ・Thermoelectric Properties of Boron Compound-Doped α-SiC Ceramics.
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