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シリコンウェハの結晶方位
シリコン基板が(100)面でカットしてあるシリコンウェハがあるとします。 (1)の方向のように、オリフラ方向からシリコンウェハの側面を見た場合、 結晶面(ミラー指数)はどのように表されるでしょうか? 同様に、オリフラ以外の方向((2)~(8)からシリコンウェハの側面を見た場合、 結晶面(ミラー指数)はどのように表されるでしょうか? また、シリコンウェハの側面から見たとき、 シリコン原子が最も多く見えるミラー指数はどのように表されるでしょうか? いびつなAAで申し訳ありません。 また、質問も多く、申し訳ありません。一部の回答でも歓迎です。 回答の根拠となるwebページを紹介されても結構です。 ↓(4) _,,.. -──‐- .、.._. ,. ‐''"´ ``'‐.、 (5) ,.‐´ `‐.、 (6) / \. ,i´ `:、 / ヽ. ,i i、 .i i. .i l (2) | |. → | | ←(3) | | . l l. . i、 ,i . i、 ,! (7) ヽ / (8) `:、 ,‐' \_______________/ ↑(1)
- neutron
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- shintaro-2
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>シリコンウェハの表面から見た方位しか書いていないようですが・・・。 下にある110だと思ったのですが そうでないにしても、100と110があればオリフラの面指数もでるのでは? 最近計算してないので出し方すら忘れました ^_^;
- wata717
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私は老人でオリフラという日本語がわかりません。図もよくわかりません。RHEEDの回折パターンでしょうか。 どちらにしても結晶方位はX線回折の本に記載のステレオ投影で完全に記述されます。
- shintaro-2
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補足
シリコンウェハの表面から見た方位しか書いていないようですが・・・。 どこに側面から見た方位が書いていますか? (結晶は専門外でよくわかりません。)