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半導体製造工程で500℃近い熱がかかる工程とは?
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昔、半導体デバイスの研究をしていました。といっても化合物半導体ですが。 『500℃近い』とは、室温よりも非常に高い温度という意味で使っていると思いますが、確かに化合物半導体にとっては高温ですが、Siデバイスにとってはむしろ低温のプロセスです。 なにしろ、先ず最初の表面酸化膜形成は確か1200℃くらいの筈ですから。 ちなみに化合物半導体にCVDで成膜する場合は350℃くらいです。 レジスト塗布後のベーキングはせいぜい200℃程度ですが、ドライエッチングでは300℃くらいに上がることもあります。 イオン注入はドーズ量が高いと基板温度が数百度になることもありますが、意図的に500℃以上に保って活性化率を高めることもあります。 その後の活性化アニールでは、シリコンでは800~1000℃くらい、化合物でも300~500℃くらいに昇温します。 近年ではランプアニールが主流ですが、この場合は化合物でも800℃くらいに上げることもあるようです。 電極も蒸着しただけでは接触抵抗が高いので、きちんと低抵抗のオーミック電極を取りたいときは、数百度でアニールします。
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はじめまして、よろしくお願い致します。 半導体の電極板(カーボン仕様)を製造するときに真空で(塩素も・・) 高熱をかけ樹脂を焼き、カーボンのみを残す手法です。 ご参考まで。
お礼
回答ありがとうございます。 カーボン、ではないのかもしれません。 アルミナを使用していたような・・。 ありがとうございました。
シリコンモノリスの製造過程は抜いちゃうの?
お礼
実は、半導体の固定に使用する静電チャックについて調べています。 そのため、シリコン単体についての工程では、静電チャック材が絡まないため私が探している 500℃の工程ではないかと思います。 回答ありがとうございます。
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