ELシート用インバータの突入電流

このQ&Aのポイント
  • ELシート用インバータを製作する際に突入電流の問題が発生しました。
  • トランスの配線を外すときれいな波形が出ていますが、トランスを接続すると突入電流のひげが大きくなっています。
  • 突入電流を少なくする方法についてご教示をお願いします。
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ELシート用インバータの突入電流

ELシート用インバータの突入電流 ELシート用インバータをhttp://www.geocities.jp/ngc4826/electronics/astro/el2/el.htmlを参考に製作しましたが、うまく動作しません。 この内容ですと、電源トランスの1次側100Vで2次側が6V程度のものを1次と2次を逆に使用する様になっていると思います。 トランスの6V側の配線を外すと、きれいな矩形波の波形が出ていますが、トランスを接続するとトランスの6V側の両端の波形をオシロで見ると突入電流のひげが大きく出てしまいます。 トランスの100V側をデジタルマルチメーターで測定したところ、壊れました。 また、オシロのプローブも壊れた用です。 この突入電流のひげも増幅して、かなりの電圧が出てしまったのでしょうか。 また、参考にした回路でFETが生産中止品で入手できなかったために、2SK2417を使用しました。 突入電流を少なくする方法について、どなたかご教示をお願い致します。

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noname#116741
noname#116741
回答No.3

 こまりましたね。電源トランスを逆に使うというのはアイデアではありますが、最大数百Hzだという本回路に合わないので能率が悪く、またトランスの型式によって結果が違うはずではあります。  この回路のままで対応するには、トランスの6V側の間に上向きにファストリカバリダイオードを入れる、電源ICの入力と出力の間に上流向きにファストリカバリダイオードを入れる、とやって発生する電圧を上流に逃がす。電解コンデンサを大きくしてスパイク電圧を吸収させる、という方法はあります。  スルーレイトをさらに調整するには、FETのゲートにさらに3kΩなど抵抗を入れて、2個の抵抗とGNDの間にコンデンサを入れて調整する方法もあります。これは確実にスパイク電圧を抑制できますが特に周波数を上げたときにFETの発熱が非常に大きくなるので要注意です。  抵抗をタイマーで切り替えると言うのはつまり段階的スルーレート調整ですから、労力の大きい割には得られる効果は上記よりも小さいのではないかと思います。

30932001
質問者

お礼

いろいろとご教示ありがとうございます。 一番効果がありましたのは、トランスの6V側にダイオードを追加したものでした。 ただし、ファーストリカバリダイオードがなかったので、一般的な整流ダイオードを使いました。 突入電流は、ほとんどなくなりましたが、電圧が小さくなりました。 ファーストリカバリダイオード 購入して、再度確認してみようと思います。 いろいろとありがとうございました。

その他の回答 (2)

noname#116741
noname#116741
回答No.2

 こまりましたね。電源トランスを逆に使うというのはアイデアではありますが、最大数百Hzだという本回路に合わないので能率が悪く、またトランスの型式によって結果が違うはずではあります。  この回路のままで対応するには、トランスの6V側の間に上向きにファストリカバリダイオードを入れる、電源ICの入力と出力の間に上流向きにファストリカバリダイオードを入れる、とやって発生する電圧を上流に逃がす。電解コンデンサを大きくしてスパイク電圧を吸収させる、という方法はあります。  スルーレイトをさらに調整するには、FETのゲートにさらに3kΩなど抵抗を入れて、2個の抵抗とGNDの間にコンデンサを入れて調整する方法もあります。これは確実にスパイク電圧を抑制できますが特に周波数を上げたときにFETの発熱が非常に大きくなるので要注意です。  抵抗をタイマーで切り替えると言うのはつまり段階的スルーレート調整ですから、労力の大きい割には得られる効果は上記よりも小さいのではないかと思います。

noname#116741
noname#116741
回答No.1

 スパイク電圧は悩ましい問題で、繰り返しパルスの回路で安易にFETのドレンーソース間にバリスタやツエナーダイオードを入れて吸収させようとすると発熱でパリスタがかきもちのように膨らんだりツェナーダイオードが破裂したりということも起きかねません。スパイク電圧は電流の変化率によって生じるのですから、これを低減する効果的な方法はゲート信号のスルーレートを下げてしまうことです。簡単にはゲートに直列に入る抵抗値を大きくするか、ゲートとGNDの間に小さなコンデンサを入れてしまいます。この方法では確実にスパイク電圧を制御することができますが、FETの中途半端なON時間が長くなり、つまりFETの電力損失と発熱が大きくなりますので必要最低限で行う必要があります。オシロスコープで見てもほとんど波形が鈍ったことに気が付かない、という程度がよいです。このFETは入力容量が700pFだそうですから、現在3kオームの抵抗値を30kΩほどまで試してみても良いかもしれません。

参考URL:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ja/Transistor/2SK2417_ja_datasheet_090929.pdf
30932001
質問者

お礼

ご回答ありがとうございます。 ゲートの抵抗を30kΩ程度まで上げて見ましたが、大きな効果はありませんでした。 出力のトランスは、通常と逆(1次側と2次側)に使用しているため、6V側のインピーダンスが低く余計に突入電流を増やしている様に思えます。この使い方は、問題ないのでしょうか。 今、考えているのがタイマーICでゲート波形の立ち上がりからの短時間だけ、トランスの6V側に抵抗を入れて、突入電流を防ごうかと思います。 他に何か良い方法がございましたら、ご教示をお願い致します。

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