再 バイアス回路についての質問です。

質問

前の質問で添付の図がわかりにくかったので図を大きくしましたのでよろしくお願いします。
バイアス回路　(four-resistor biasing)についての質問です。
図(a)と(b)を添付していますので、それを見てください。

「添付した図(a)のようなバイアス回路における　ＭＯＳＦＥＴのＱポイントを見つけよ」という問題で解答説明の途中で
「図(a)を(b)のように簡素化する。」とあるのですが、
どうして(a)が(b)になれるのかわかりません。

説明をよろしくお願いします

回答No.1

myeyesonly · ベストアンサー

前の質問を削除してもいいようにこちらにも転記しておきますね。
こんにちは。
＋電源～ドレイン抵抗～ドレイン～ソース～ソース抵抗～ー電源
の回路と
＋電源～ゲート抵抗１～ゲート抵抗２～－電源
という二つの回路を分けて考えただけです。

このＦＥＴはＭＯＳ－ＦＥＴなので、ゲート～ソース、ゲート～ドレインにはナノ～ピコアンペアレベルのごくわずかな電流しか流れないので、ほぼ絶縁されていると考えて差し支えありません。

トランジスタのようにベースからエミッタに電流が流れる素子では直接この様に扱う事は出来ません。

また、この回路は、同じように入力電極～出力電極（グリッド～カソード、グリッド～プレート）がほぼ絶縁されている真空管にも当てはまります、というより、真空管で用いられていた理論をＭＯＳ－ＦＥＴに当てはめたものです。

もうちょっと補足すると、ｂの回路では電源が二つになってますが、「どうせ、ほぼ絶縁されてるのだから、それぞれ別々に電源がつながってると思って問題ない」という事です。
それぞれの抵抗に分岐した電流がお互いに途中で混ざることはないですから。

お礼

ありがとうございました。
難しく考えすぎていたようです。
なっとくできました。

回答No.2

kbtkny

まず前提条件として、理想の電源は、出力インピーダンスが0Ωで、
どんな負荷をどれだけ繋いでも、その電圧が変わる事はありません。
つまり、２つの系統の回路が繋がっていて、片一方の回路の電流が
どんなに激しく変化しても、電源電圧は一定であると言う事です。

**************************************************************
（参考）実際の電源はどんなに良い電源でも、出力インピーダンスは
0ではありませんので、実験時には場合によって気にする必要が
あります。
**************************************************************

(a)で、R1~R2間の電圧も、Rs～Rd間も理想電源Vddがかかっています。
(b)も、Vddが２つになっただけで、(a)と同じ電圧がかかっていて
(a)と等価になります。

参考までに、R2~Rs間とRd~R1間に２つのVddを繋いでも等価です。
ただし話を複雑にするだけで、何の足しにもなりません。

以上、参考まで

お礼

やっとわかりました。
難しく考えすぎていたようです。
ありがとうございました。