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IGBTのターンオフ時間について
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- anachrockt
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この資料がわかりやすいでしょう． http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/pdf/RH984/RH984.pdf p.1-3に説明があるように，オンのときp+からn-に正孔が注入され， 伝導度変調によりパワーMOSFETに比べて大幅にオン抵抗が低下します． オフするときは，注入された正孔をn-から引き抜く必要があります． 引き抜くのに下から時間が「蓄積時間」です． 「下降時間」は図2-5に説明があるように，「蓄積時間」経過後， コレクタ電流が90％から10％に低下する時間です．
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