• 締切済み

スナバ回路

同期整流コンバータに、ノイズの低減や素子の保護という目的で、 スナバ回路を付けるらしいのですが、原理がよくわかりません。 というより、スナバ回路が無いときのノイズの発生メカニズムから 理解できないので、教えてください。 とりあえず、下側のMOSFET(LMOS)について考えました。 調べた限りでは、LMOSがオフした際のVdsの急上昇を 抑えてノイズを低減および、素子の保護・・・ いまいちよくわかりませんでした。 そこでLMOSがオンからオフになる過程を考えてみました。  (1)LMOSがオン   LMOS->インダクタ->負荷->LMOS   の電流ループが考えられます。  (2)LMOSがオフ   LMOSの寄生ダイオードを通して電流が流れ続けますので、   LMOSのVdsは、Vf以上は大きくならないと思います。  (3)UMOSがオン   LMOSのVdsには、電源電圧が加わる。   このとき、LMOSのVds間にの容量により、ごく短い時間   ショートされるので、大きな電流が流れる。   寄生ダイオードのリカバリ電流も流れる。 恐らく、(3)の時にノイズが発生すると思うのですが、 ノイズ発生のメカニズムがわかりません。 さらに、LMOSのDS間にRCスナバ回路を入れるとなぜ、 Vds間の電圧急上昇を抑えられるのかがわかりません。 よろしくお願いします。

noname#77380
noname#77380
  • 科学
  • 回答数2
  • ありがとう数5

みんなの回答

回答No.2

同期整流コンバータは,これがわかりやすいでしょう. http://focus.ti.com/lit/ml/slup206/slup206.pdf 電源の教科書(日本語のはこれしか出ていません)だと, 第7章に説明があり,RCスナバの式とグラフが載っています. http://www.amazon.co.jp/dp/4339005932

  • KEN_2
  • ベストアンサー率59% (930/1576)
回答No.1

まず、ノイズ発生のメカニズムを簡単に説明します。 ◎直流回路に流れるスイッチの(SW)オン・オフ動作時電流変化を考えると 1.抵抗負荷の場合: オン;抵抗値に制限された電流が流れる オフ;電流が流れない *急激な電流変化は無いので過電圧・高調波成分は発生しない。 2.インダクタの場合: オン;一時遅れの電流がインダクタの内部抵抗に制限されて流れる オフ;電流が流れ続けようとしてインダクタに溜まった電荷を放出する *依ってSW側にインダクタからの電流で逆起電力の過大電圧が発生する。 短時間の変化なので急峻な波形となり、高調波成分を多数含んでいる。 ◎ノイズ低減・素子の保護 1.ツェナーダイオードで電源電圧より高い電圧で導通させ過電圧をクランプさせる。 2.RCスナバ回路を入れ高調波成分をショートして減衰させる。  Cでインダクタで発生した過大電圧成分をショートさせる。 ◎RCスナバ回路の概念 1.通常インダクタで発生した過大電圧成分をショートしてするが、Cとインダクタの間を流れ続けて減衰しない。 2.このCとインダクタの間にRを挿入して減衰させる。 3.通常RCスナバ回路は  C;0.01μFから0.1μF、R;200Ωから330Ωが使われる。

関連するQ&A

  • スナバ回路の目的

    wikiを見ますと 「スナバ回路(スナバかいろ、Snubber circuit)とは、電気回路中にあってスイッチの遮断時に生じる過渡的な高電圧を吸収する保護回路」 ということですが、これについてお聞きしたいです。 これは 電気回路のスイッチが遮断された際に、回路若しくはケーブル導線等が持つ自己インダクタンスに 逆起電力が生じ、その逆起電力でトランジスタ等の素子が破壊されるのを防ぐ為に スイッチと並列に抵抗とコンデンサを接続し、仮にスイッチがOFFにされた時にコンデンサに蓄えた電荷を放出し、急激な変化をさせず、過渡的に変化させることで大きな逆起電力が発生しないようにして、回路の保護をする という感じかと思いました。 認識違い等ありましたらご指摘お願いします。

  • トライアックでモーター制御する場合のスナバ回路の…

    トライアックでモーター制御する場合のスナバ回路の要否について トライアックとブリッジダイオードを使用して、交流電源(100V)でDCモータを駆動する回路を設計しています。 トライアックのT1・T2間にCRのスナバ回路を入れていますが、スナバ回路を通してモータに流れる微小電流の影響で、トライアックをOFFにしてもモータから小さなウナリ音が聞こえます。 モータは100V全波整流対応品で定格電流3A/突入電流20A程度、スナバ回路のCRは0.1uF/56オームです。 今回の回路では、ブリッジダイオードを介してモータを接続しているので、ブリッジダイオードがフライホイールダイオードとして働くため、トライアックのターンOFF時のサージ電圧は発生しないと考え、ウナリ音を対策として、スナバ回路を無くしてもよいのでは?と思っております。 実際にオシロで確認しても、ターンOFF時のサージ電圧は出ていない様でした。 ただ、この様な使用法での実績が無いので、スナバ回路を無くすとどのような問題が考えられるか、お教えいただければと思います。 宜しくお願いいたします。 自分で読み返して、何が問題なのか、不明瞭な文章でした。 問題は、ウナリ音がすることです。なんとか、ウナリ音を無くしたい(または、気にならないほど小さくしたい)と思っております。 以上、追記します。失礼いたしました。

  • スナバ回路の損失

    当方、電機関係の職に就いておりながら初歩的な質問で恥ずかしい限りですが、どうしても腑に落ちないためこちらで質問させて頂きます。 タイトルにも書いています通り、降圧チョッパ回路のスイッチIGBTに装備しているRC直列スナバ回路について、下記の2通りで損失を計算しました。 1.抵抗へ流れる充放電電流を測定し、その実効値の2乗に抵抗値を乗じた計算値 2.スナバ回路全体の最大サージ電圧を測定し(電圧値をVとする)、スナバコンデンサ容量をC、チョッパスイッチング周波数をfとしたとき、0.5CV^2×2fで計算した値 理論的には、1,2いずれの方法でもスナバ損失は求まるかと思いますが、2で計算した結果が1の時の10倍以上になっているのです。 私なりに原因分析したところ、 A.いずれもオシロスコープにより測定していますが、1の場合は電流、2の場合は電圧でそれぞれトリガーをかけているため、その差が出ている(最大充放電電流が流れるときでも、実は最大電圧が出ていないなど)。 B.2の測定方法において、測定したサージ電圧はコンデンサの両端ではなく、IGBT両端で測定しています。すなわち、R,Cの両端を測定しているわけです。 RC直列回路においては、回路全体に加わる電圧はコンデンサ単体に加わる電圧と等しくなるはずですので、このように測定しましたが、実は全く異なる値が出ていた可能性が考えられます。 という考察になりますが、如何せん計算結果に差がありすぎるので、根本的なミスを犯しているのかもしれません。 上記の他に考えられる原因はありませんでしょうか。 いずれにしても、何か見落としている可能性がありますので、ぜひ皆様の知恵をお貸し願えますでしょうか。 宜しくお願い致します。

  • 定電圧ダイオードの発生ノイズ

    あるHPに定電圧ダイオードの発生ノイズについて説明があるのですが分からない点があるので教えて下さい。HPでは、電位VccとGND間に電流制限抵抗Rと定電圧ダイオードDzを直列に接続した回路図に対して、次の説明がなされていました。「VCCにツェナー電圧以上の電圧が印加されると、DzがONになり、電流が流れます。電流が流れると電圧が降下しますので、これがツェナー電圧まで降下すると、今度はDzがOFFになります。すると電流が遮断されるのでまた電圧が上がっていきます。そしてツェナー電圧を超えるとまたONになって‥‥ということの繰り返しです」。定電圧ダイオードではON/OFFが繰り返され、その際にノイズが発生する。そのため、定電圧ダイオードに並列にバイパスコンデンサを接続する必要があるとの説明でした。私としては、Vcc-RI>VzになるようにVccとRの値を選定すればON/OFFが高速で繰り返される状態にはならないように思います。実際はどうなのでしょうか?

  • ダイオードの並列回路でわからないことがあります。

    電子回路について勉強しているのですが、ダイオードの並列回路でわからないことがあります。 この回路ではなぜ3つの電圧のうち一番高い電圧が右の抵抗にかかるのですか? 電子回路に詳しい方、この回路について(特にそれぞれのダイオードの部分)解説していただけませんか? 一番電圧が高いV1がつながっているところのD1がONになればそのほかのD2、D3はOFFとなり電流は流れないそうですが では、なぜ一番電圧が高いV1を基準に考えるのでしょうか? 「D2→ON、D3→OFF、D1→OFF」や「D1→ON、D2→OFF、D3→OFF」はなぜありえないのでしょうか? 実はYahoo知恵袋でも質問させていただいたのですか、あまり回答が返ってこないので、こちらでも質問しました。 どなたか説明できる方回答お願いします。

  • MOSFETのバックゲート

    MOSFETのバックゲート電圧を動的に制御することで 寄生ダイオードを等価的に消せるという認識は正しいのでしょうか? 具体的には NchMOSFETで、ソース側に寄生ダイオードのアノード ドレイン側に寄生ダイオードのカソードとなるように等価回路を描いたとき NchMOSFETがOFF状態(ドレイン-ソース間に電流が流れていない状態)で バックゲート電圧を制御する事により、寄生ダイオードを等価回路から消す (NchMOSFETがOFF状態を維持したまま) というイメージです。 上記認識が正しいのであれば NchMOSFETがON状態で、ソースからドレイン方向に電流が流れ NchMOSFETがOFF状態になった際に 寄生ダイオードへの逆バイアスによるリカバリー電流を バックゲート電圧を制御する事でキャンセルできるのかが 最終的には知りたいです。 すみませんが、どなたかご教授願います。

  • カスコードカレントミラー回路

    最初にカスコード回路において、あるトランジスタをダイオード接続する理由から復習したいのですが、これはダイオード接続によってそのトランジスタのゲートーソース電圧Vgs=ドレーンーソース電圧Vdsとする事で、トランジスタが飽和状態にあるための条件Vds≧VgsーVt(しきい値電圧)がVt≧0となり、これによってそのトランジスタはエンハンスメント型でありさえすれば、飽和状態で動作させる事ができる(逆にp型をダイオード接続する理由は飽和条件をVt≦0とする)からだと考えていますが、この点は正しいのでしょうか? ここで疑問に思ったのですが、なぜそもそも飽和状態にする必要があるのでしょうか?飽和状態にすると、そのトランジスタを流れるドレーン電流はIds≒[{(μn)*(Cox)}/2]*{(VgsーVt)^2}*{1+(Vds/Va)}の式で算出でき、これよりドレーン電流はVgsによってほぼ決める事ができるからでしょうか? 逆にリニア領域だとIdsはドレーンーソース電圧にも大きく依存していると思います。 そしてここで写真の回路に話を移しますが、A点とM7,M8のゲートはなぜ接続されているのでしょうか? 左側p型M7とM5のソースードレーン電圧の和は、Vsd7+Vsd5=M7のソースーゲート電圧Vsg7になると思うのですが、これが何か関係しているのでしょうか?

  • IGBTの駆動回路について

    IGBTを駆動するために下図の回路を使用したいと考えているのですがいくつか質問があります。まず一つ目ですがスナバ回路の取り付け方はあっていますでしょうか。二つ目はIGBTがOFFした際に、制御側GNDとIGBTのコレクタ側の電圧関係が定まらず、コレクタ・エミッタ間やコレクタ・ゲート間の電圧が不定になり、IGBTの破壊につながってしまわないかという点です。三つ目は下図IGBTに並列に接続されているダイオードはIGBTの内部ダイオードを使用しているのですが、このダイオードはこのような使用方法でもいいのでしょうか。 初歩的な質問で申し訳ありませんが、回答のほどよろしくお願い致します。

  • フォトMOSFETリレーについて

    電気回路初心者です。 フォトMOSFETリレーについて質問です。 (1)双方向に電流を流せるフォトMOSFETリレーは、導通時には、2個あるFETの内 片方のFETは寄生ダイオードを介して電流が流れるのでしょうか? (2)寄生ダイオードを介して電流が流れる場合、寄生ダイオード分の電圧降下が発生するのでしょうか? (ON抵抗を無視したとして、リレー通過後の信号は電圧降下するのでしょうか?) (3)動作時間と復帰時間がusec以下(1MHzでONOFF制御をしたい)のフォトMOSFETリレーを探しているのですが、見つかりません。高速品でも数100usec程度のものしか見つからないのですが 、 これは高速化には技術的になにか難しいことがあるのでしょうか? FETのターンオン・オフ時間はnsecオーダー、フォトカプラも早いものがあると思うのですが、 なぜなのでしょうか。 宜しくお願いします

  • スイッチング電源のスナバ回路

    フライバックコンバータのスナバ回路の役割を教えてください。 一般にFETドレイン端子にダイオードと、RとCの並列回路を直列接続しますが、 高電圧がFETに印加しないようにするだけなら、ダイオードのみで十分だと思います。 (1)CとRは何のためにあるのか (2)FETに高電圧印加を防ぐことを目的とする場合には、CとRなしでダイオードのみで十分なのか よろしくお願いします。