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オン抵抗と耐圧
パワーデバイスのオン抵抗について分からないことがあるので、質問させて頂きます。 1) オン抵抗は絶縁破壊電界の3乗に反比例するようですが、理由がよくわかりません。 絶縁破壊電界が高いとドリフト層厚を厚く、ドーピング濃度を高くすることができるとあったのですが、私の理解では絶縁破壊電界が大きいこととこの二つが繋がらず、よく分かりません。 2) オン抵抗とデバイスの耐圧はトレードオフの関係にあるようですが、どうしてそうなるのか理解できません。 何か参考になるURL、書物でもアドバイス頂けると大変助かります。 何かご存知の方、どうぞ宜しくお願いしますm(__)m
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