CVD処理時の粉の発生について

このQ&Aのポイント
  • 熱CVD法でのTiC処理において、滴注式の四塩化チタン供給方法への変更により、処理品や治具上に大量の粉が発生している。
  • 供給量やキャリアガスの量、処理量によって発生する粉の量は変化するが、現在も粉の発生は続いている。
  • 原料の供給量、キャリアガスの量や処理量以外にも、粉の発生原因が考えられる。
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CVD処理時の粉の発生について

現在熱CVD法でダイス鋼や超硬合金にTiC処理を施しています。 原料の四塩化チタンの供給方法をバブリング方式から滴注式に変更したところ、処理品および治具上に大量の粉が発生しました。 原料の供給量、キャリアガスの量や処理量によって発生する粉の量は変化するものの、依然発生しているため早急に対策をとるようにせまられています。 そこで、原料の供給量、キャリアガスの量や処理量以外に粉の発生原因として考えられることがありましたら、ご教授ください。 なお、処理法としては常圧熱CVD法を用いており、反応炉はHot-wall方式、処理温度1020℃、原料は四塩化チタンとメタンでキャリアガスは水素を用いています。

noname#230358
noname#230358

質問者が選んだベストアンサー

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noname#230359
noname#230359
回答No.1

専門家ではないので、足しにはならないでしょうが一応。。。。 大量の粉はなんだった(成分等)でしょうか? TiCL4はほんとにちょっとしたことで、生成物ができてしまいます。 方式を変えたことによる、プロセス(工程)をどう変更したのか、 その影響評価を詳しく行ったほうが良さそうな気がします。

noname#230358
質問者

補足

ご回答ありがとうございます。 プロセス(工程)の影響について調査を行ってみます。 また、大量の粉についてですが、黒灰色で粒度0.2~0.3 mmのフレーク形状で、表面は比較的平坦ですが、部分的に瘤状突起が見られました。 EDXによる分析を行ったところ、主成分はTi,Cからなり、微量にCrが含まれていました。そのため、おそらくTi系の炭化物ではないかと考えています。さらに特定するためにX線回折を行う予定です。

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