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集積回路の容量について
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>集積回路の容量に関する質問なのですが >集積回路は単位体積に対する容量は一定なのでしょうか。 そう言われると、キャパシタンスを想像してしまいます。 > 例えば1000nm^3にはちょうど1GB入ります。 >の様な感じで決まっているのでしょうか。 メモリの記憶容量の話ですね 違います。 たとえば1988年ごろの、半導体の主なプロセスルールは1.5μm(1500nm)程度です。 その時代のDRAMは256Mbit/チップです(怪しい記憶ですが)。 2016年(現在)の半導体の最先端のプロセスルールは18nm程度です。 現在の半導体のDARAMは16Gbit/チップです。 この30年間でデザインルールが1/100になったので、同じサイズの集積回路に縦横100倍で、30年前の1万倍の数のトランジスタが入ることになります。 またSSDに使われるNANDメモリの場合は、当初は1ビット1トランジスタのSLCでしたが それが2ビット1トランジスタのMLCになり、3ビット1トランジスタのTLCになり 同じトランジスタの数で3倍のビット数になったわけです。 ですので、同時期の製品でサイズと容量とを比べることに意味はあるかもしれませんが、時代が違うと桁が違ったりしてしまうのです。 SDカードもマイクロSDHXカードで128GBとか最近出てますけど 数年前はマイクロSDカードで1GBとか2GBですよ。 もっと前ならSDカードで8MBですからね。 半導体だけの話ではなくHDDでも同じ現象が発生してますよね。 最近は3.5インチで8TBとか10TBのものがありますが、数年前は500GBとかでしたからね。
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