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MOSFETのバックゲート
rabbit_catの回答
- rabbit_cat
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うーん。 ドレイン－ソース間に寄生ダイオードがあるのはその通りなんだけど、 バックゲートが、そのダイオードになんらかの制御を加えるというイメージは、ちょっとピンとこないですね。 言われてみると、そういう認識の仕方も、全くありえないとまでは言い切れないのかも、とは思ったりはしないでもないのですが、少なくとも「寄生ダイオードを等価的に消せる」というまでの効果はないです。あるとして、「寄生ダイオードの特性を等価的に制御できる」くらい。ただ、それでも、それは、つまりどういうことなのか、まだ私の中で消化できていないです。 とりあえず、バックゲートの最も単純（かつ一般的）なイメージは、ＭＯＳＦＥＴというのは、もともと、絶縁膜をはさんでゲート電極とバックゲート（基板）の間で容量（コンデンサ）ができているわけですが（ＭＯＳ容量）、バックゲート電圧を変えることは、単純に、ＭＯＳ容量の基板側の電位を変えるってことです。普通に使われる意味でのバックゲート効果は、このイメージで全て簡単に説明できます。 ＞NchMOSFETがON状態で、ソースからドレイン方向に電流が流れ NchMOSFETは電流はドレインからソースに向かって流れます。（キャリアである電子は、ソースからドレインに向かいますが）
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お礼
ご回答頂き感謝します。 バックゲートに関しては、一通りwebから読み取れる内容を 事前に確認していたのですが どうも、しっくり来ないといいますか ずばり知りたい事が記載されておらず質問しました。 やはり、私が誤認識しているのでしょうね。 ＞NchMOSFETは電流はドレインからソースに向かって流れます。 同期整流型の降圧電源において LowSideSWにNchMOSFETが使用され HighSideSWがOFF制御時は 励起されたインダクタからの電流が NchMOSFETのソースからドレイン方向に 流れる場合を想定した内容でした。