トランジスタのhパラメータについての質問です。

質問

hパラメータが温度や周波数などの動作条件などにより値が変化する理由を教えて下さい。

どうかよろしくお願いします。

回答No.2

imoriimori

半導体の電気伝導の理屈とか、PN接合については学びましたか？学んだけど忘れているのだとして記します。専門家では無いので少し間違いもあるかも知れませんが。

真性半導体だと、価電子帯から伝導帯に駆け上がる電子の数は、温度で変わります。exp[-E/kT]とか見たことありませんか。温度Tが出てきています。つまり電気伝導にあずかるキャリアの数は強く温度依存。このへんが出発点。
ダイオードやトランジスタは真性半導体ではないのでもう少し複雑だけどダイオードの（すなわちPN接合の）順方向電流だと、I=Is ×（exp[qV/kT]-1）等という式も出てきます。指数関数の項に温度Tが入っています。さらには、飽和電流Isも前記のexp[-E/kT]が効いてきて、ものすごく温度依存です。
どうしてだということになると、フェルミディラック分布なども学ぶことになってしまいますが、とにかくPN接合の電流電圧特性は温度で変わるのです。
トランジスタもPN接合で出来ています。だからものすごく温度依存です。抵抗やコンデンサの比ではありません。

周波数については、すべからく電子部品は自在な超高速では動きません。トランジスタも同様です。しかしトランジスタ固有の遅さについて記すならば、次のようになります：トランジスタの中でキャリアが移動するには時間が要るので（キャリア移動は主として拡散現象によるものだから）、抵抗やコンデンサよりは動作速度は落ちがちです。さらには、PN接合部分には空乏層容量という寄生容量があり、これの充放電時間の点でも動作速度に限界が生じます。

回答No.1

shintaro-2

ｈパラがトランジスタを構成する半導体の物理特性に依存するものだから。
抵抗に温度特性があったり、
コンデンサに周波数特性があるのと同じ。

半導体工学とか、電子物性とかの本（大学の教科書レベル）を読んでください。

お礼

物性などの教科書を読んで理解することができないから聞いてるんです