• ベストアンサー

微粒子の比電荷について。

レポートでわからないことがあるので質問させていただきます。 まず、微粒子を半径rの球形の一様密度の導体と仮定します。 その微粒子は入射針に込められており、入射針にはある一定の電圧V_0が印加されています。 微粒子は入射針から射出されるのですが、その射出された微粒子の比電荷e/mを求める問題です。 講義で説明された内容は、 質量は、m=(4/3)πρr^3と求められます。 次にGaussの法則より、 4π(r^2)E = e/ε_0 また、電場E = V/rより、これらを連立して解いて、 e/m = e(ε_0)(V_0) / ρr^2 というものでした。 わからない点は、電場をE = V/rとするところです。なぜここで粒子の半径rがでてくるのかがわかりません。 また、この粒子の形状を球以外のひずんだ形、もしくは立方体や、平板状などにしたばあいの比電荷はどうなるのかも、どう考えれば良いのかわかりません。 余裕があれば、こちらの質問にも回答していただけると非常に助かります。 宜しくお願い致します。

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
noname#185374
noname#185374
回答No.2

実は最初,質問の意味がよくわからなかったのですが,以下の回答で疑問に答えたことになるでしょうか? 今の場合、孤立した粒子の中心からの距離を R (>= r)とすると,ガウスの法則より E(R) = e/(4πε_0 R^2). よって,電位の基準を無限遠にとると V(R) = -∫[∞→R] E(R) dR    = e/(4πε_0 R)    = R E(R). R = r では E = (V_0)/r.

gulgulgulman
質問者

お礼

ご回答ありがとうございます。 電位と電場の関係の導出はわかっていたのですが、孤立粒子の電荷を求める際には孤立粒子の作る電場を積分するという、当たり前のことを勘違いしていたようです。 入射針の作る電場を積分しようとしていました。 これでは、質問の意味がわからないのは当たり前だったと思います。失礼しました。

その他の回答 (1)

noname#185374
noname#185374
回答No.1

>e/m = e(ε_0)(V_0) / ρr^2 右辺の e は 3 の間違いです。 >わからない点は、電場をE = V/rとするところです。なぜここで粒子の半径rがでてくるのかがわかりません。 E = (V_0)/r と書くべきですね. 文字の使い方に問題があるので,分かりにくいのだと思います.

gulgulgulman
質問者

お礼

ご回答ありがとうございます。 表記間違いの指摘については、全くその通りです。申し訳ないです。 しかしやはり、 E = (V_0)/r の分母に粒子半径rが出てくるのは自明ではないように思われます。 この後自分でも考えたのですが、入射針から粒子が射出する際に電極に触れ、印加電圧から仕事を受けると考えれば半径rがでてくるように思われます。 でも、ちょっとこれでは不確かな描像な気もします。

関連するQ&A

  • ガウスの法則について

    中が一様な電荷密度の球形電荷(球半径A)と、同じく中が一様な電荷密度の円柱状電荷(円の側面の半径A)がありまして、 球形電荷の中心からの半径をR、円柱状電荷の円の側面の中心からの距離をRとしたときに、 A<Rの時は、R離れたところの電場は、球形ならRの2乗に、円柱状ならRに、それぞれ反比例しますよね? ただ、A>Rの時は、球形も円柱状も同じように、Rに比例してしまうのは何故なんでしょうか?? 自分的には、A>Rでは、Rが大きくなると、R内部の電荷も増えて、結果電場も増えるからだと思いましたが、どうもしっくりきません。 よろしくおねがいします。

  • 電子の比電荷の測定

    この前、物理の実験で電子の比電荷(e/m)を測定する実験を行ったのですが、電圧が小さくなるにあたって、e/mの値の誤差が大きくなってしまいました。この原因を考えてみたのですが、分からないので教えてください。お願いします。

  • 電荷が無限遠に長い円柱

    電荷が無限遠に長い円柱(半径Rの円柱から半径rの円柱分切り抜いた形。R>r)に分布している場合。 外向きの電場はどちらを向くか?あと縦軸に電場強さE、横軸に円柱中心からの距離を取ったときのグラフがどんな感じになるか教えてください。横軸はRより長いところもどうなるかおしえて欲しいです。

  • 円柱状電荷の電位について

    球状電荷や点電荷についての電位Vの式はよくみかけるのですが、円柱状の電荷の電位Vについて、いろんな書籍を見てみたものの見つかりませんでした。 自分で V=電場Eの距離rについての積分 の式で、r>a(a=電荷の半径)とr<aについてやってみたところ、球状電荷については求まるのですが、柱状電荷については∞になってしまい、式が求まりませんでした。 もし分かる方がいらっしゃれば、よろしくおねがいします

  • 無限に長い円筒の側面上に電荷が一様な面密度

    半径Rの無限に長い円筒の側面上に電荷が一様な面密度σで分布しているとき、ガウスの法則を用いて生じた電場を求めよ。 以下参考書の解説  閉曲面Sとして、電荷の分布する円筒と同軸の半径r、長さLの円筒面を選ぶ。Sについての電場Eの面積分はE2πrL  Sの内部に含まれる電荷はr<Rのとき0、r >Rのときσ2πRL  よって、ガウスの法則より、E=0(r<R)、σR/εr(r >R) なぜ、Sの内部に含まれる電荷はr >Rのときσ2πRLなんですか? なぜ、E=σR/εr(r >R)なんですか? 詳しい解説お願いします。

  • 物理のガウスの法則の問題です。わからないことがあるのでお願いします

    物理のガウスの法則の問題です。わからないことがあるのでお願いします 全部書くと長くなるのである程度略してますが分かりにくかったらもう一度丁寧に書きます 内半径a1、外半径a2の球殻に一様な電荷密度ρが分布しているとし、 位置ベクトルをr、電場をEとします で、こっからちょっとわからないのが r<a1の時E=0なのは分かるんですがr≦a1の時もE=0なんでしょうか? 問題にはr≦a1の時Eは・・・と書いてるんですが a1=rの時電荷があるので=つけるのは変な気がするんですがよくわかりません それと以前やった講義のを写したノートをみると a1<r<a2の時電荷Qは Q=4πρ/3(r^3 - a1^3)となっているんですが なんで体積を用いてるんですか? 球殻なのでQ=4πρa1^2だと思うんですが・・・これもよくわかりません 以上です。よろしくお願いします

  • 電荷が与えられた球の持つ静電エネルギーについて。

    「電荷Qが半径Rの球の内部に一様に分布している時の静電エネルギーUを求めよ」 という問題があるのですが、解き方として静電エネルギーの密度の公式 u = 1/2×εE^2 を用いて、球が内部に発生する電場Eは E = rρ/3ε とあらわせるので、 U = ε/2∫udV = ε/2∫(u4πr^2)dr  積分は0~R という道筋は間違っているのでしょうか? 計算すると、答えと違うのですが…。解答では電荷を半径Rの球に少しずつ運んでくる時の仕事を計算しています。

  • 極座標系での電荷

    球体内で電荷がρ=(cosφ)^2/r^4 [C/m^3]で分布しているとき、 球座標における1<r<2 (m)の体積内に存在する電荷量はいくらになるのでしょうか? また、上記の範囲以外では電荷量が0であるとき、1<r<3 [m]の範囲では、電場はどのようになるのでしょうか? 極座標系になると、計算をどのようにすればよいのか、解らなくなってしまいました。どなたかよろしくお願いします。

  • 電荷密度の問題で・・・

    半径aの無限に長い円柱の中に、電荷密度が      ρ=3Q(a-r)/πa^3 の電荷分布している。この円柱内外の静電場を求めよ。 という問題で、円柱内(a>r)の単位長さあたりの電荷量は、(インティグラルの0→r)2πrdr である。とかいてありました。電荷密度は、単位体積あたりの電荷量なので2πrを掛けて、電荷量を求めているとおもったんですが、この考え方はまちがっているんでしょうか??また、体積を掛けるのでしたら別にインティグラルを使わなくて、πr^2を掛ければすむのではないのでしょうか??そこのところがごちゃごちゃしてどーもしっくり来ません。どうか教えてください。お願いします。

  • 素朴な疑問 電荷の間に働く力

    電磁気の本を読んでいてふと疑問に思ったので質問してみます。 よく電磁気の教科書などであるシチュエーションで、 二つ電荷q1とq2が距離rだけ離れて存在する時、 電荷q1が距離rの場所に作る電場E1(r)が電荷q2に及ぼす力は q2E1(r)となる、などと計算すると思うのですが、 なぜこの計算はq2(E1(r)+E2(0))とはならないんでしょうか? [(注)E2(0)は電荷q2が自分のある所に作り出す電場] まぁそういうものだといってしまえばそうなのですが、 ふと何故だろうと思いました。何故なんでしょうね? E2(0)=0だから、とかそんな理由なんでしょうか?