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Si熱酸化の現状
論文や研究紹介のイントロダクションによく熱酸化は膜厚の制御が難しいと書いてありますが、実際はどうなんでしょうか。現在数nmの極薄膜が用いられていることを考えると他の酸化方法と比べて特に難しいといえないような気がするんですが・・・。主観でも結構なので誰かご存知の方いらっしゃればお願い致します。
- pekopoko0401
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現状とか試作のレベルだけではなく、広範囲の応用を 考えた場合にという意味だと思います。 ウェハーでの量産を考えたとき、 広い面積を短時間で均一に酸化させる ことが必要ですが、ガスを使った熱酸化 では、ガスと熱の拡散が均一で、さらに 定常状態になっていることが必要ですが、 その条件のもとでは、ウェハーが大きく なると、酸化に時間がかかってしまうように なります。 酸化膜厚はもとより、膜中の酸素量は電気特性に 影響しますから、それを考えると熱酸化では 十分ではないのだと思います。 現状でも実用にはなっていても、歩留まりの 改善、大型ウェハーによる生産効率の改善を 考えたとき、まだ別な方法を試してみる価値が あるということだと思います。 ＞他の酸化方法と比べて特に難しいといえないような気がするんですが・・・ 酸素イオンビームを使うと、ビームを 電磁石を使って制御できるため、 結果的に膜中の酸素量を電気的に制御 できます。
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