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熱電変換モジュールで半導体を組み合わせる理由
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一般にセンサー等の変換モジュールでは、電源電圧が充分に高く取れなかったり、信号処理のダイナミックレンジを高く取る目的で、p型半導体とn型半導体を組み合わせて使う場合が多いです。 電源電圧の範囲を有効に処理する目的で、片側だけを組み合わせて使うと電源電圧より遥かに低い電圧範囲でしか信号出力が取り出せないからです。 ±15V電源を使ったOP-AMPなどでは、信号出力±12V程度で±3V程度制限されるのですが、3Vから5V電源を使う変換モジュール等では電源電圧範囲を有効に利用するために、p型半導体とn型半導体を適切に組み合わせた回路構成として、GNDから電源電圧近くまでを処理できる回路として、電源電圧の範囲の有効利用を実現しています。 ＊OP-AMPで低電圧駆動を保障したデータシートなどに等価回路が記載されていますので、参照されるとp型半導体とn型半導体を組み合わせた状況が読み取れます。
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- tadys
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ここを読んでください。 http://www.n-tecmo.co.jp/custama/Ther_gen.htm
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