遮断周波数の差の原因について教えてください

このQ&Aのポイント
  • 帰還抵抗Rfの抵抗値が低いと負帰還がかかりすぎてしまい、利得が下がるため、遮断周波数は高くなる。
  • 反転増幅回路において帰還抵抗Rfの抵抗値が大きくなると、増幅率が上がり、遮断周波数も大きくなる。
  • 実験結果から、帰還抵抗Rfを大きくすると、遮断周波数が高くなり、増幅率も上がることがわかりました。
回答を見る
  • ベストアンサー

遮断周波数の差の原因について教えてください

下図のようなオペアンプを用いた反転増幅回路を作り、Rin=1kΩ、Rfを1kΩ、5.1kΩ、10kΩと変えて実験を行いました。 http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%95%E3%82%A1%E3%82%A4%E3%83%AB:Opampinverting.svg それぞれ遮断周波数は1kΩ=1.9MHz、5.1kΩ=500kHz、10kΩ=280kHzとなりました。 GB積はそれぞれ1.9×10^6、2.55×10^6、2.8×10^6となりました。 結果から帰還抵抗を大きくすると、増幅率があがり、GB積が増えたことがわかりました。 3つの帰還抵抗に対する遮断周波数には差がありますが、特に1kΩの遮断周波数は他の2つの比べて大きいです。 この原因は「帰還抵抗Rfの抵抗値が低いと負帰還がかかりすぎてしまい、利得が下がるため、遮断周波数は高くなる。」ということでいいのでしょうか? 教えて頂けると嬉しいです。 よろしくお願い致します。

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • xpopo
  • ベストアンサー率77% (295/379)
回答No.1

>結果から帰還抵抗を大きくすると、増幅率があがり、GB積が増えたことがわかりました。 >3つの帰還抵抗に対する遮断周波数には差がありますが、特に1kΩの遮断周波数は他の2つの >比べて大きいです。 >この原因は「帰還抵抗Rfの抵抗値が低いと負帰還がかかりすぎてしまい、利得が下がるため、 >遮断周波数は高くなる。」ということでいいのでしょうか? それぞれのゲイン設定で測定された遮断周波数は添付図に示したような使用するオペアンプの 裸のゲイン-周波数特性の制限によって決まります。 添付図に点線で示したように一般にオペアンプは数十Hzあたりの低い周波数に第一ポール がありその周波数以上では周波数が増えるにしたがって-6dB/oct(周波数が2倍増える毎に ゲインは半分(即ちー6dB))になる)という一定の比率で減衰してゆくという特性を示します。 オペアンプに帰還をかけて小さなゲインに設定した場合、図の青いラインで示したような周波数 特性になります。遮断周波数はそれぞれの設定ゲインが高い周波数でオペアンプの裸の ゲイン-周波数特性にぶつかるまでその設定されたゲインを維持しますが、オペアンプの裸の ゲインにぶつかるとそれ以上の周波数ではオペアンプの裸のゲイン-周波数特性に従って減衰して ゆきます。これがそれぞれのゲインでの遮断周波数が決まる理由です。  すなわち、帰還ゲインが小さくなればオペアンプのゲイン-周波数特性との交点の周波数が 大きくなってゆくからです。帰還がかかりすぎるからという意味ではありません。

kana_123
質問者

お礼

丁寧なご説明ありがとうございました! オペアンプ自体の特性を考慮するんですね。 とても勉強になりました。 ありがとうございました!

関連するQ&A

  • 負帰還と増幅率と遮断周波数の関係について

    反転増幅回路の特性を理解するために下のような回路を作って Rin=1kΩ、Rfを1kΩ、5.1kΩ、10kΩと変えて実験を行いました。 http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%95%E3%82%A1%E3%82%A4%E3%83%AB:Opampinverting.svg 増幅率はRin/Rfより、それぞれ1倍、5倍、10倍になります。 遮断周波数は1kΩ=1.9MHz、5.1kΩ=500kHz、10kΩ=280kHzとなりました。 以上の結果から次のように考えました。 ・負帰還の量が多いと、増幅率が低くなり、帯域幅が広がる→利得は下がるが使用できる周波数帯域は広い回路となる ・負帰還の量が少ないと、増幅率が高くなり、帯域幅が狭くなる→利得は高くなるが使用できる周波数帯域は狭い回路となる 負帰還が増幅率と遮断周波数に関係していると考えたのですが特に関係はないのでしょうか? 手元にある資料をいくつか読んでみましたが納得できませんでした。 アドバイスをよろしくお願い致します。

  • OPアンプのゲインの下がり始める周波数について

    uA741を用いて図のような反転増幅回路を作製し、周波数特性を測りました。 挿入した抵抗値は以下のようにしました。 (1)Rs=Rf=10kΩ (2)Rs=Rf=100kΩ (3)Rs=Rf=1MΩ (4)Rs=Rf=10MΩ ゲインの下がり始める周波数は (1)、(2)のとき約100kHz (3)のとき約50kHz (4)のとき約10kHz となりました。 このように、挿入する抵抗によってゲインの下がり始める周波数が変わるのは何故でしょうか? 回答お願いします。

  • 2SK369のFETで低域、高域遮断周波数

    2SK369のFETの入力容量Ciss=75pF 帰還容量Crss=15pF 入力抵抗Ri=9.3kΩ 本では低域遮断周波数 fL=1/2πCiss・Ri 高域遮断周波数 fH=1/2πCgs・Ri  (Cgs:ゲート・ソース間の容量) 上の式のようになっているのですが、値が大きくなりすぎてしまいます。 実験結果だと低域遮断周波数は約32Hz、高域遮断周波数が140kHzとなっています。 式そのものが違うのか何が間違ってるのか教えて下さる方お願いします

  • オペアンプの入出力特性について

    実験でオペアンプを用いて反転増幅器を製作しました。 -入力端子とオペアンプの-入力端子間の抵抗R1とフィードバック抵抗Rfの値をどちらも1[kΩ]にして 入力電圧Eiを50[kHz]及び100[kHz]の2条件の時、0[mV]~400[mV]まで変化させ、その時の結果を横軸入力電圧Ei、縦軸出力電圧Eoで表しました。 結果として、 ・50[kHz] 抵抗Rf=1[kΩ] 0[mV]~400[mV]変化させても、EoはEiの一倍、つまり等しい値で推移しました。 ・100[kHz] 抵抗Rf=1[kΩ] 50[kHz]時と重なるように、グラフは推移しました。 以上の事から、増幅度はR1/Rfで決まることが分かりました。 また今度はRfの値を20[kΩ]として上記の周波数、入力電圧Eiの条件で実験を行った結果は以下のようになりました。 ・50[kHz] 抵抗Rf=20[kΩ] 0~20[mV]程度では増幅度は約20倍でしたが、入力電圧が増加するにつれて、徐々に出力電圧Eoの増加は鈍くなり 最終的にEiをいくら増やしてもEoは3[V]以上あがらない、つまり飽和した状態となりました。 ・100[kHz] 抵抗Rf=20[kΩ] 50[kHz]と同じく、はじめは20倍の増幅度で、Eoは増加して行きましたが、最終的にEiをいくら上げてもEoは1.5[V]以上あがらない状態となりました。 以上の事から、周波数の変化によって出力電圧の飽和が起ることがわかります。 そこで教えていただきたいのは 1.なぜ周波数が高くなるほど、出力電圧の上限が引き下げられるのでしょうか。 2.Rfの値がR1と同じつまり増幅度1倍の時は飽和が起らないのでしょうか。 3.増幅度の設定(比Rf/R1)を上げると飽和が発生するのでしょうか。 文献で調べ原因ではないかと思っていることを以下に簡単にではありますが列記します。 ・出力信号の負帰還によって入力信号と位相が同位相となり"発振" ・スルーレート ご教示宜しくお願いします。

  • 周波数帯域

    FETソース接地増幅回路の入出力の増幅度の周波数特性で、負荷抵抗を10kΩから1kΩに変えたら、1kΩの時の方が帯域幅が広がりました(主に高域)。それはなぜですか!? C=0.01μFで、遮断周波数=1/2πCR、Xc=1/ωCはわかってます よろしくお願いします

  • 反転増幅器の周波数特性

    入力電圧V1=300mV、R1=10kΩ、Rf=100kΩの反転増幅回路で周波数を100Hzから200kHzまで徐々に変化させていくと、10kHz以降から位相差が生じて、出力電圧、利得が減少しはじめました。どうしてこんなことが起きるのでしょうか?その根拠がわかりません・・・ そしてなぜ10kHzから生じたのかという根拠もわかりません。 どなたかご回答の程よろしくお願いします。

  • トランジスタ増幅器の周波数特性について

    とても,基本的なこととはおもうのですが・・・低周波遮断回路,第一段負帰還増幅器,高周波遮断回路,第二段負帰還増幅器の順に等価回路をつくり,トランジスタ増幅器の周波数特性を調べる実験を行いました。ネットや,本などで色々調べたのですが,低周波遮断回路と高周波遮断回路の役割が,よくわかりません。ぜひ教えてください!

  • 低域遮断周波数...√2?

    低域遮断周波数が中域の電圧増幅度から√2落ちたときの周波数となるのは何故ですか? 何故急激に増幅度が減衰するのでしょうか?

  • オペアンプの帯域について

    質問です。オフセットが1Vのった2Vppの130kHzの方形波を減算回路で1V減算すると、130kHzの正弦波がひずんだような形になります。振幅は1.3Vと若干大きくなります。 減算回路の抵抗はすべて500kΩで、増幅度1倍で設計しています。オペアンプのスルーレートは13V/usでGB積は3MHzです。 きれいな方形波を得るには性能の良いオペアンプを使うしかないのでしょうか。増幅度は1倍で、帯域も間に合っているように思えるのですが。振幅が大きくなる理由もわかりません。ちなみに入力の方形波の周波数を下げると(1kHzくらい)、入力とほぼ同じ方形波が出力されます。 どなたかわかる方お願いします。

  • オペアンプを用いた回路の周波数特性について。

    工学部電気系の学生です。 http://proxy.f3.ymdb.yahoofs.jp/bc/45bdc3fe_169f/bc/%a5%de%a5%a4%a5%c9%a5%ad%a5%e5%a5%e1%a5%f3%a5%c8/ope.jpg?bcCvuRGBYmorLgZG リンクにある回路の利得の周波数特性を測定し、理論値と比較したところ、低周波域では一致するものの、高周波域では「実験値>理論値」となって違いがみられました。 この原因をネットや本などで1日中調べたのですが、結局わかりませんでした(オペアンプにあまり詳しくないもので)。こうなる理由をどなたか教えていただけないでしょうか? ちなみに回路中の抵抗などの値は、Ri=1kΩ、Rf=100kΩ、R=10kΩ、C=4.7nFで、2Vppの正弦波を入力しました。インピーダンス変換器は、増幅回路から見た信号源のインピーダンスをみかけ上ゼロにするらしいです(実験の本より)。