• 締切済み

PチャンルMOSFETの電流方向

ON/OFFのスイッチングをPチャネルMOSFETで構成 いようとしていますが、PチャネルMOSFETは、 ソースからドレインに電流が流れるのでしょうか。 逆に流したら壊れるのでしょうか。

  • 科学
  • 回答数3
  • ありがとう数6

みんなの回答

  • soramist
  • ベストアンサー率58% (163/278)
回答No.3

参考になれば・・・ http://www37.tok2.com/home/aoijf2/mosfet.html 蛇足ですが、 上段右図は、SW→ON で消灯(FET非導通)、SW→OFF で点灯(FET導通)です。 (その他の図については、SW動作が記載してあるので説明略) また、下段左の回路図は、FETの種類が明記してありませんが、当然PchMosです。 >逆に流したら壊れるのでしょうか。 どういう状況下で流すのか分かりませんが、少なくとも上図のような使い方をするなら、 電流は、内蔵保護ダイオードを素通りするので、電灯は点灯しっぱなし(SWによる コントロールが利かない)、場合によっては内蔵保護ダイオードが壊れる可能性もあります。

回答No.2

> PチャネルMOSFETは、ソースからドレインに電流が流れるのでしょうか。 その通りです.オンさせればその向きに電流は流れます. > 逆に流したら壊れるのでしょうか。 壊れません,とゆうよりも,内部のボディ・ダイオードのため, ソースにマイナス,ドレインにプラスの電圧を掛ければ スイッチングしなくても電流は流れます. ボディ・ダイオードの定格はデータシートに載ってます.

回答No.1

えーと、ソースを入力側にしてください。 逆にしたら正常にON/OFF制御が出来ないんじゃないかと。。。 ゲート電圧はソースを基準に制御されますので。(VGSでON/OFF制御される) -------- >ソースからドレインに電流が流れるのでしょうか。 今回の質問に直接関係ないのですが念のため補足しておきますと、 パワーMOSFETは逆方向にも電流を流すことができます。 http://www.cqpub.co.jp/column/books/2001a/320120PowerMOSFET/power-mo5.htm

関連するQ&A

  • mosfetの構造について

     電子デバイスの初心者なので基本的な事かもしれませんがよろしくお願いします。  MOSFETについてですが、MOSFETは普通、ゲート、ソース、ドレイン、バルクの4端子があり、ゲートとバルク間に電位差をつけることでソース、ドレイン間のスイッチングができると理解しています。  私の場合バルクとソースを異なる電位で使用したいと考えており、4端子のMOSFETがほしいのですが通常市販されているMOSFETはどれもバルクとソースが短絡されてしまっているものばかりのように思われます。このような構造になっているのは何か理由があるのでしょうか?  MOSFETのスイッチング操作を行うためのゲート・バルクを通る回路とスイッチングで制御されるソース・ドレインの回路を独立した2つの回路のように使用したいのですがこのようなことは可能なのでしょうか?  よろしくお願いいたします。

  • MOSFETのゲートソース間電圧をかける向きについて

    ディプレッション型nチャネルMOSFETと エンハンス型nチャネルMOSFETで ゲートソース間にかける電圧の向きを 反対にする理由を教えてください。 特に、ディプレッション型nチャネルMOSFETについて、 ゲートソース間にかける電圧の向きを エンハンス型nチャネルMOSFETと逆にした場合、 ゲートソース間電圧を大きくするほど nチャネルは狭くなってドレイン電流量が 小さくなるような気がしてしまいます。 でも、特性図を見ると私の考えが 間違っているようです。 初歩的な質問ですいませんが よろしくお願いいたします。

  • MOSFETを使ったレベル変換について

    MOSFETを使用して5V信号と3.3V信号のレベル変換をしようとしています。ゲート電圧は固定でソース-ドレイン間はONさせたままで使用する予定です。そこで質問ですが、N-ch MOSFETの場合、内部に等価的にソースからドレイン方向にダイオードが入っています。ソース側に5V、ドレイン側に3.3Vを繋いだ場合、このダイオードを通って電流が流れ、3.3V系の電位が上昇してしまうことはあるのでしょうか。その場合にはソース側の電位を低く(3.3V)してやれば問題なく使えるようになりますか?回路設計中で急いでます。専門書も探しているのですが、スイッチングなどについての記述はあっても、レベル・シフトについての記述が無く、困っています。宜しくお願いします。

  • MOSFETのボディダイオードについて

    電子回路の初学者ですが、MOSFETの動作に疑問があるため質問させて下さい。 添付画像赤く囲んである、「P型MOSFETのオフ状態では、SからDへ電流が流れない」という点で悩んでおります。 こちら「http://www.nteku.com/toransistor/mos_toransistor.aspx」 や こちら「http://gomisai.blog75.fc2.com/blog-entry-47.html」 のサイトを拝見すると、「MOSFETはドレイン-ソース間にボディダイオードを持っているため片側は常に導通になります。」という記述が見られます。確かに、ボディダイオードがあるならば、P型MOSFETのオフ状態においてもSからDへ電流が流れてしまいます。 これはどちらが正しいのでしょうか?また、どちらも正しいのであればどのように考え分けて(使い分けて)いけばよろしいのでしょうか。 よろしくお願い致します。

  • MOSFETのチャネル長変調効果について。

    MOSFETのチャネル長変調効果について。 定電流領域で動作しているとき、ドレーン-ソース間電圧Vdsを大きくすると 実効チャネル長が短縮し、ドレーン電流が大きくなる。 これは、チャネルから出てきた電子がピンチオフ点からドレーンまで移動する際に、 Vdsによる電界によって電子が加速され、実効チャネル長が短いほど加速される距離が 長くなり、電子速度が大きくなるためドレーン電流が大きくなる、という解釈で正しいのでしょうか。

  • PチャンネルのパワーMOSFETを教えてください

    PチャンネルのパワーMOSFETを教えてください 出力が20V、5Aで発振周波数が250KHzの方形波発振器の出力をAチャンネルとBチャンネルの2つに分けて、それぞれをPチャンネルのパワーMOSFETで交互に一定時間ON、OFFを繰り返して出力したいのですが、PチャンネルのパワーMOSFETではFETの種類により入力の方形波よりも出力に大幅な遅れ時間が生じたり、出力電圧が 低下したりでまったくうまくいきません。 はじめはトランジスタでシミュレーションをしていたのですが。熱損失などを考えて PチャンネルのパワーMOSFETを使いたいのですが、初めてということもあり参考書などを読んでみたのですが、Nチャンネルの解説ばかりでPチャンネルに関する解説はほとんどありませんでした。 以下にシミュレーションした際の方形波の遅れと出力電圧が低下した図を載せましたのでアドバイスをお願いできないでしょうか。 また、PチャンネルのパワーMOSFETに関する解説書なども教えていただければありがたいです。 よろしくお願いします。 添付画像は1枚のみのようですので、回路図を添付しました。

  • MOSFETのバックゲート

    MOSFETのバックゲート電圧を動的に制御することで 寄生ダイオードを等価的に消せるという認識は正しいのでしょうか? 具体的には NchMOSFETで、ソース側に寄生ダイオードのアノード ドレイン側に寄生ダイオードのカソードとなるように等価回路を描いたとき NchMOSFETがOFF状態(ドレイン-ソース間に電流が流れていない状態)で バックゲート電圧を制御する事により、寄生ダイオードを等価回路から消す (NchMOSFETがOFF状態を維持したまま) というイメージです。 上記認識が正しいのであれば NchMOSFETがON状態で、ソースからドレイン方向に電流が流れ NchMOSFETがOFF状態になった際に 寄生ダイオードへの逆バイアスによるリカバリー電流を バックゲート電圧を制御する事でキャンセルできるのかが 最終的には知りたいです。 すみませんが、どなたかご教授願います。

  • MOSFETの動作について

    ・MOSFETにおいてゲートとソースに印加する電圧が同じ場合ソース-ドレイン間に電流は流れないのでしょうか? ・ソース電圧がゲート電圧より高い場合、閾値はVs-Vgだけ変動するのでしょうか? ・ピンチオフしている際、チャネルが短くなると思いますが、なぜ飽和領域において一定の電流が流れるのでしょうか?チャネルが短いとイメージ的に電流が流れない気がしますが。。。 例えば、Gに2V、Sに1V、Dの電圧を0~10Vまで変動させた場合のドレイン電流はどのように変化しますか? また、Gに1V、Sに2V、Dの電圧を0~10Vまで変動させた場合でのドレイン電流はどのように変化しますか? (全てN型での質問です) 独学でCMOS回路の設計を勉強しているのですが、疑問だらけですみませんが宜しくお願いします。

  • MOSFETの基本について教えて下さい。

    いつもお世話になります。電子部品初心者ですがよろしくお願いします。MOSFETの基本について教えて下さい。 ゲート側に電圧をかけない状態では、ソース側にマイナス(-)の電圧、ドレイン側にプラス(+)の電圧をかけても自由電子が移動することはできないのでソース・ドレイン間の電流(Id)は流れないと理解していましたが、実際に購入したMOSFET(R6007ENX ローム)ではゲートに電圧をかけない状態で、DC24V電源の(+)→リレー→ドレインと繋ぎ、 DC24V電源の(-)をソースと繋ぐとリレーが作動します。(電流が流れます。) MOSFET単品をテスターで確認してもソース・ドレイン間は導通しています。 ゲート側に電圧をかけない状態でも図のように接続するとなぜ通電してしまうのか教えてください。よろしくお願い致します。

  • MOSFET ハイ(ロー)サイドのノイズ

    下記のように2種類の接続をしてMOSFETをスイッチングします。 MOSFETはNチャンネルタイプで、Gate抵抗は リンギングを発生しやすくするために小さくします。 (1)FETをローサイドへ VCC - R(抵抗) - FET - GND (2)FETをハイサイドへ VCC - FET - R(抵抗) - GND (1)の場合、GNDと FETのD(ドレイン)間をオシロで測定すると FET OFF のときリンギングが発生します。 FET ONのタイミングではリンギングがまったくありません。 これは私にも理解できます。 しかし、 (2)の場合GNDと FETのS(ソース)間をオシロで測定すると FET ONのタイミングでリンギングが発生します。 FET OFFのタイミングではリンギングがまったくありません。 (1)と(2)で違います。 この理由がわかりません。 ご教授お願いします。