ＦＥＴのＹパラメータ

質問

ソース接地、ドレイン接地、ゲート接地のＹパラメータ(Ｙ行列)の導き方を教えていただきたいです。

i1=Y11v1+Y12v2
i2=Y21v1+Y22v2

ということと、Ｙパラメータの答えは分かっているのですが、導き方が分かりません。

どれか１つの接地の導き方が分かれば、他のは同様にできるものだと思うので、どれか１つでもいいです。

詳しく教えていただきたいです。

回答No.2

rabbit_cat

つまり、トランジスタのモデルとして、コンダクタンスgm とドレインの出力抵抗rd（チャネル長変調効果）を考えているということですかね。

この場合、
ソース接地では、
ids = gm*vgs + vds/rd
です。
これはいいですか？ここがわからない場合はＹパラメータの前にＦＥＴの小信号モデルについて復習してください。

v1 = vgs
v2 = vds
i1 = igs
i2 = ids
とポート設定すれば、
i1 = igs = 0
i2 = ids = gm*vgs + vds/rd = gm*v1 + 1/rd*v2
ですから、
Y11=0
Y12=0
Y21=gm
Y22=1/rd
ですね。

お礼

なんとなくですが、わかりました。
ありがとうございます♪

回答No.1

rabbit_cat

ソース接地で、一番単純なモデル
ids = gm*vgs
の場合。ただし、小信号（適当なバイアスを加えた上でのＡＣ入力）の場合です。
v1 = vgs
v2 = vds
i1 = igs = 0
i2 = vds = gm*vgs = gm*v1
とポートを割り付ければ、
Y11 = Y12 = Y22 = 0
Y21 = gm
ですね。
ただ、このモデルはあまりに簡単すぎで、実際には、寄生容量や基板効果等いろいろ入ってくるんだと思います。
どこまで、そういうのを入れればいいのかは、質問者さんにしかわからないので、答えようがありません。

お礼

解答ありがとうございます。
わたしもいまいち分からないから聞いているので、なんと言っていいものか難しいですが、

これは、ＦＥＴのＹパラメータで
ソース接地の答えは

Y11=0
Y12=0
Y21=gm
Y22=1/rd

ドレイン接地の答えは
Y11=0
Y12=0
Y21=-gm
Y22=(1+μ)/rd

ゲート接地の答えは

Y11=(1+μ)/rd
Y12=-1/rd
Y21=-(1+μ)/rd
Y22=1/rd

です。