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ゲートドライブ回路の構成
こんにちは、以下について質問させてください。 ゲートに印加する周波数を低周波(100kHz未満)で設計しようと考えていて、FETをパワフルに動作させるためにプッシュプルでゲートをドライブさせようと考えています。 FETのゲート部分が等価的にコンデンサになっているため、低周波におけるゲートの入力インピーダンスは高いが、 高周波の場合、入力インピーダンスが下がるため、これをパワフルに(高速に)ドライブするには出力インピーダンスの低いエミッタフォロワプッシュプルが良いという情報を得ました。 これに関して低周波の時は入力インピーダンスが高いため、エミッタフォロワプッシュプル回路は向かないと思い、これをエミッタ接地にしようとしたのですがいくら調べても プッシュプルをエミッタ接地で設計した回路を見かけなかったのですが、何かマズイ点えもあるんでしょうか?? エミッタ接地なら出力インピーダンスが高かったはずなのでちょうどいいように思えるのですが…
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お礼
お返事ありがとうございます 返事遅れてしまいすみませんでした とても参考になりました。ありがとうございました。