nチャネルMOSFETの特性について
- nチャネルMOSFETの特性について質問します。ゲート電圧Vgがしきい値Vt以下の場合、ドレイン電流Idはほとんど流れません。一方、VgをVt以上にすると、反転層の厚みが増加し、ドレイン電流Idが増加します。
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FETの特性について
nチャネルMOSFETについて質問させていただきます。ドレイン電流Idとゲート電圧Vgの伝達特性のグラフは、ドレイン電圧Vdが一定の場合、しきい値Vt以降比例しますが、その理由として、(1)ゲート電圧Vgがしきい値Vt以下の場合は、ピンチオフになりドレイン電流Idはほとんど流れない。(2)VgをVt以上にすると、ゲート下の反転層の厚みが増加し、チャネルコンダクタンスgが増加するのでIdがそれに伴い増加する。…と考えたのですがこれで正しいでしょうか？また、(1)ではIdが流れないですが、(2)では流れるのは、(1)では反転層が形成されず空乏層だけであるため、(2)では反転層が形成されるため、といった考え方でよろしいでしょうか・・？誤った部分、不足な部分等ございましたらどうかご指摘願います。
- merula
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こんにちは。 一応、この関係の仕事をしたことがあります。 ＞＞＞ (1)ゲート電圧Vgがしきい値Vt以下の場合は、ピンチオフになりドレイン電流Idはほとんど流れない。 残念ながら誤りです。 「ピンチオフ」というのは、Ｖｇがしきい値電圧を超えている状態において、Ｖｄ（Ｖｇではありません）をある一定値以上に上げてもＩｄが増えないこと、つまり「飽和」のことを指します。 http://www.gxk.jp/elec/musen/1ama/Htb/html/C0404_d.html この図では、反転層がドレインに届かず、三角形みたいになっていますよね？ これがピンチオフの状態です。 ＞＞＞ (2)VgをVt以上にすると、ゲート下の反転層の厚みが増加し、チャネルコンダクタンスgが増加するのでIdがそれに伴い増加する。…と考えたのですがこれで正しいでしょうか？ 合ってます。 ＞＞＞ また、(1)ではIdが流れないですが、(2)では流れるのは、(1)では反転層が形成されず空乏層だけであるため、(2)では反転層が形成されるため、といった考え方でよろしいでしょうか・・？ いいですよ。
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