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Sパラメータ法による誘電率測定について
方形導波管に誘電体を挿入して定在波比Sにより誘電率を測定する方法なのですが、疑問に思うことがあります。 http://www3.nict.go.jp/y/y224/ieej_report/2.doc ここに載っているSパラメータ法の誘電率は複素誘電率だと思うのですが、だとしたらここで扱っているεrとは複素誘電率の実部なのでしょうか？ もしεrが実部だけだとしたら、虚部εr'はどのような式で表されるのでしょうか？ ずっと悩んでいるので教えていただきたいです。
- fusashi7
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- vq100mg
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√( μr / εr ) は、規格化された特性インピーダンスであり、j (ω/c) √( μr εr ) は伝搬定数の基本的な形であり、複素誘電率、複素透磁率に対して拡張可能な筈です。 伝送線路の Zoとγに相当します。 http://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%88%86%E5%B8%83%E5%AE%9A%E6%95%B0%E5%9B%9E%E8%B7%AF 平方根内が複素数になっている事に注目下さい。 一例として、真空の誘電率、透磁率 の両者に tanδ = 1 の損失を与えてみましょう。 すなわち、 μr = μr' - μr" = 1-j εr = εr' - εr" = 1-j 特性インピーダンスは変化しないので、S11 は零です。 式によるならば、√( μr / εr ) = 1 → Γ = 0 → S11 = 0 となります。 また S21 = T です。 S21 = T = exp ( -j (ω/c) √(μr εr) d ) = exp ( -j (ω/c) ( 1-j ) d ) = exp ( -j (ω/c) d ) exp ( - (ω/c) d ) １波長で振幅が exp ( -2π ) 倍に減少するようですね。 ちなみに位相推移量は無損失と変わりません。
斜め読みした印象では、複素(比)誘電率εr を、 εr = εr'+ jεr" と表記しているようで、通常どおり、 εr" = εr'* tanδ = εr'/Q みたいです。
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