ＬＳＩの無電解銅めっきプロセスについて
- 中性無電解銅めっきによるＬＳＩ銅配線の形成について調べています。無電解銅めっきはＨＣＨＯやＥＤＴＡなどの問題があり、精度の高いＬＳＩ作りは難しいとされています。
- ホルムアルデヒドを使わず、コバルトを使って銅を析出する方法もあると聞いたことがあります。この方法について詳しく知りたいです。
- また、球状半導体（ボールチップ）についても理解ができていません。詳しい説明をお願いします。
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ＬＳＩの無電解銅めっきプロセスについて
中性無電解銅めっきによるＬＳＩ銅配線の形成について調べています。 無電解銅めっきは ＨＣＨＯ：発ガン性があって作業環境上よくない。 ＥＤＴＡ：生分解が難しい。 ＰＨ12.5：水酸化ナトリウム、水酸化カリウムによるＰＨ調整でアルカリ金属イオンによる化合物半導体の形成。 銅の析出に伴う水素ガスの発生：ガスボイドの形成。 などの問題があり、精度の高いＬＳＩを作ることは難しいということはわかったのですが・・・。無電解銅めっきについて何でもいいので教えて下さい。 ホルムアルデヒドを使わず、コバルトを使って銅を析出する方法もあると聞いたのですがよくわかりません。 また、球状半導体（ボールチップ）についてもよくわからないので教えて下さい。 よろしくお願いします。
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回答がついていないようなのでアドバイス程度 知っているとは思いますが、「無電解めっき」とは、溶液中の「還元剤」を用いて金属イオンを析出させる反応ですよね。 では、なぜこんなややこしい薬品を使用しているのでしょう？ ＞ＨＣＨＯ：発ガン性があって作業環境上よくない。 これが「還元剤」ですね。その他にも還元作用を示す薬品はありそうですが、「溶液の安定性」「銅上での自己触媒性」等を考えると、現在、最適なのではないでしょうか？ ＞ＰＨ12.5 「ＨＣＨＯ」が還元剤として作用する為の条件ですね。 ＞ＥＤＴＡ：生分解が難しい。 このアルカリ条件下で銅イオンを安定に存在させなくてはいけません。 この問題を解決する為に、 Ｃｏ2+→Ｃｏ3+ ＋ ｅ- の反応を利用して銅を還元しようとしているのが、最近の研究のはずです。
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