PN接合の拡散電位とは何か?アノードカソード短絡時のエネルギーレベル図について知りたい

このQ&Aのポイント
  • PN接合の拡散電位とは、ダイオードのアノードとカソードの間に存在する電位差のことです。拡散電位は内部で作用するため外部から観測することはできません。
  • アノードカソードを短絡した場合、PN接合のエネルギーレベル図は、バイアス電圧が0Vの場合のものと同様です。つまり、接合部の左右には電位差がありますが、アノード端子とカソード端子との間には短絡があるため、電位差はありません。
  • このような状態では、接合部でフェルミレベルがひずみ、熱平衡ではなくなる可能性があります。しかし、一般的な教科書ではアノードカソード短絡時のエネルギーレベル図を詳しく扱っていないため、具体的な図表を見つけるのは難しいです。
回答を見る
  • ベストアンサー

PN接合の拡散電位

恥ずかしながら。。。PN接合の基本的なことがわからなくなりました。。 拡散電位(内蔵電位)と外部から観察される電位差の関係がわからないのですが、どう理解できないか以下に記します。 PN接合のダイオードのアノードカソード間に電圧計でも電流計でも挟んでメータの針が振れるようなことが起きたら無から有のエネルギーを取りだしているということで熱力学の法則に反する。だから拡散電位は外部から観測されるはずがない。(一瞬くらいぴくりと針が振れるようなことがあるかもしれない?でも少なくとも定常的にメータの針は振れ得ない。) そこまでは良い。だけど、わからなくなるのはアノードとカソードを短絡したときだ。 バイアス電圧が0VのときのPN接合のエネルギー図は教科書的には両端開放のときと同じ、電位障壁は拡散電位そのもので書いてある。だからアノードカソード短絡でも拡散電位はある、接合部左右に電位差はある。一方ではアノード端子とカソード端子との間には短絡だから電位差は無い。するとアノード端(あるいはカソード端)と接合部の間に電流が流れ電位降下が起きていることになる?これじゃ無から有のエネルギーを汲み出していることになる。そんなことは起きそうも無い。 もしかしておおかたの教科書が間違いでアノードカソード短絡で拡散電位が消えるということ?しかしこれでは接合部でフェルミレベルがひん曲がるから熱平衡では無くなってしまう、これも起きそうに無い。やはり教科書の図が間違いということもないはずだ。。。。 ということでパラドックスに見えてしかたないのです。どこか大間違いをしているのでしょうけど。アノードカソード短絡時のエネルギーレベル図がどうなっているか書いている例は見たこと無いですし。 アドバイスお願いします。あるいはこのへんのことを平易に書いてある資料でもご紹介いただければ。

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • d9win
  • ベストアンサー率63% (24/38)
回答No.1

実際のダイオードには電極が付いてます。電極金属と半導体の可動電子は異なったエネルギー状態にありますが、このエネルギー差は電極接合部の極く狭い領域で変化して、境界を除いた電極内では電極金属固有の値になります。 ダイオードを構成する半導体のアノードとカソードでは、可動電子のエネルギーは異なってますが、どちらにしても、それぞれの電極接続部で吸収されます。それぞれの電極表面には、それが接続されている半導体部位の(内蔵)電位は現れず、単に電極金属の特性が現れます。 アノード側とカソード側の電極金損が同種であれば、アノード電極とカソード電極の表面の間には電位差は現れないことになります。たいていの教科書が、このような説明を省略してるのは不親切ですね。

imoriimori
質問者

お礼

了解です!ありがとうございました。 金属-半導体の電位障壁を忘れてました。これでシステム全部スルーしてフェルミレベルが揃う。金属-半導体の電位障壁で接合部電位障壁の効果はマクロにちゃらで全てOK. 教科書的には、ここで金属-半導体の電位障壁の話をすると、金属-半導体の接触部でなぜ電流が素直に流れ得るのだとかまた難しい話になるので、そこはカットということなんでしょうね。しかたないですね。

関連するQ&A

  • pn接合について

    pn接合のエネルギーバンド図で、先生が、p型のフェルミレベルとn型のフェルミレベルに電流計(もしくは電圧計)をつないで、電流が流れるか流れないか(電位差が発生するか)。ということを話されていました。 結局逆方向に拡散電流が流れ、電流は流れないんですが、なんで、フェルミレベルに電流計(もしくは電圧計)をつなぐんでしょうか? お互いのコンダクションバンド(伝導帯)に電位差があるのでそこに電流計(もしくは電圧計)を接続してやればいいんじゃないでしょうか? なんで、フェルミレベルに接続なんですか?

  • pn接合の熱平衡状態の電位差

    下記の内容についての質問です。 熱平衡状態は電気二重層による静電ポテンシャルと、 電子の濃度差に伴う化学ポテンシャル(電子濃度のポテンシャル) が釣り合った状態と言うことができる。 このため熱平衡状態においては、pn接合両端の電圧はゼロである。 (Wikipedia pn接合より抜粋) ここで、電位差について質問があるのですが、 pn接合で 電位差が0と言っているのに、 なぜその時拡散電圧が存在しているのでしょうか? それと、 順バイアスをかけたときに、 なぜその電圧をこえるま電流が流れださないのでしょうか? 電位差が平衡状態で0ならちょっと順バイアスかけただけ電流は流れると思うのですが、、、 よろしくおねがいします。

  • pn接合について

    PN 接合の両側に電池をつないで逆バイアスをかけたときPN接合内で空乏層が出来、電流が流れないのは分かるのですがN-電極間、P-電極間ではどうでしょうか?電流が流れないとすればそれはなぜでしょうか?N-電極間、P-電極間にはそれぞれ電位差があると思うのですが。

  • pn接合の整流性について

    pn接合には整流性があると言われています。もし仮に真性半導体(i型)とn型半導体を接続してもpn接合同様整流性はあるのでしょうか。自分でエネルギーバンド図を書いて、順方向にバイアスをかけたり、逆方向にバイアスをかけてみたりして考えたのですが、自信の持てる結論が思いつきません。ぜひ、お力をお貸ししていただけないでしょうか。

  • PN接合のエネルギー

    とある本のPN接合の説明で Sの字を反転させたような形の図で電子とホールのエネルギーの説明が 書いてあったのですが、 P型半導体の電子がN型半導体の電子の数より少ないにもかかわらず、 N型半導体の方がP型半導体よりもエネルギーが低いと書いてありました 電子が多いほうがエネルギーが多いと思うのですが違うのでしょうか

  • ダイオードの障壁特性について

    ダイオードの電圧-電流特性を調べる実験をしました。実験では、電圧Vを変化させたとき(-10[V]~1.0[V])の電流Iを測定しました。この結果と、使用した現実のダイオードの等価回路(図参照)に基づいて、pn接合部の障壁特性の分離抽出をせよ、と言われました。自分的には、電圧を印加していない状態でのダイオードの拡散電位差Vdがなどが、このことと関係しているのではないかと考えています。しかし、参考書、ネットを駆使しても明確な解答、考え方が示されていなかったので大変困っています。どなたか教えてください。お願いします。    |―(アノード)ダイオード(カソード)――抵抗Rs―| ●―|                               |―●    |――――――抵抗Rp―――――――――――|

  • 半導体のpn接合 エネルギーバンド

    pn接合に順方向に外部電圧Vを印加したとき、エネルギーバンド図は空乏層付近で曲がりますが、そこ以外では曲がらないように扱われるのはどうしてですか?本当は空乏層以外でも曲がっているけど、空乏層付近だけ曲がったほうが都合がよいからだと思っているのですが、他に大きな理由があるんでしょうか?できるだけ詳しくお願いします。

  • pn接合 静電化学ポテンシャル理論の限界は?

    半導体のpn接合時における、バンドギャップモデルについての質問です。 半導体デバイス中のキャリアの移動は、ドリフト電流と拡散電流のつりあい、つまり静電ポテンシャルと化学ポテンシャルの平衡で説明されています。 このモデルの限界(つまり現実のpn接合の際の電流・電圧値と食い違う点)には一体何があるでしょうか? 教科書をよくよく見ると、熱平衡状態ならば、という但し書きがあるので熱的に非平衡な状態ならば通用しない、というのは分かるのですが・・・。 高電圧をかけた時にもバンドギャップモデルが適用できるのでしょうか、また、その他の適用できない状況はどのようなものがあるのでしょうか? どなたか教えてくださると助かります。

  • 不純物半導体のpn接合について

    物性工学を勉強する大学初年度の者です。 不純物半導体のpn接合についてなのですが、 n型半導体に添加する不純物密度を増やすと、拡散電位が増加するのは、イオン化されたドナーも増加するため、空乏層が広くなるからでしょうか? また、 n型半導体の不純物密度がp型半導体の10倍であったとき、空乏層は主にn型よりに形成され、このときのn型側、p型側の空乏層幅の比は n : p = 1 : 10 となるのであっていますでしょうか? 怪しい部分がありましたら、ご指摘ご教授して頂けると嬉しいです。 よろしくお願いしますm(_ _)m

  • 太陽電池の発生電圧

    太陽電池の発生電圧はpn接合の拡散電位より大きくならないのは何でですか?