- ベストアンサー
トランジスタの静特性
Ib（ベース電流）が0(A)のときでも、少しIc(コレクタ電流)が流れるのですか？ トランジスタの静特性(Vce-Ic)から読み取ると、そうなるのですが・・・ 私の使っているトランジスタはnpn型です。
- MNCT-DENKEY
- お礼率36% (30/83)
- 科学
- 回答数2
- ありがとう数3
- みんなの回答 （2）
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
はい、流れます。 コレクタ遮断電流Iceoと呼ばれています。 ベースをオープン（IB=0)とし、コレクタエミッタ間に逆方向バイアス電圧を加えます。 ベース領域の電位は、エミッタの電位、およびコレクタの電位の中間になり、ベースエミッタ間は、わずかに順方向バイアスされます。 このとき、コレクタ-ベース間には、逆バイアス発生電流Igenとコレクタベース間に到着する注入キャリアによる電流（γαtIe）の和で構成されています。 もう少し説明がありますが、要するに、このような漏れ電流のことを、コレクタ遮断電流Iceoと呼んでいます。（静特性のIBがゼロのときのコレクタ電流です。）
その他の回答 (1)
- fjnobu
- ベストアンサー率21% (491/2332)
少しの程度問題です。 物理量に、絶対の０という事はありえませんので。
関連するQ&A
- トランジスタの静特性
トランジスタの静特性を調べる為に、ＮＰＮとＰＮＰ型をエミッタ設置し、回路をくみました。（ブレッドボード上に） （回路図はベースから一本をＶｂｅを計測するためにDMMへ接続しグランドへ、またベースからＤＭＭ（Ｉｂ）、抵抗、電源Ｅ１の順にグランド。エミッタはそのままグランドへ。コレクタから一本を電圧Ｖｃｅを計測するためＤＭＭを接続してグランドに、もう一本をＤＭＭ（Iｃ）、電源Ｅ２を接続しグランドへ。） このさい、Ｖｃｅを一定に（初めは５Ｖ）にして、電源Ｅ１のつまみを調節してIｂ（５μずつ１００μになるまで）を変化させながらＶｂｅとIｃを測定する。 この実験を行って、Ｖｃｅ＝５Ｖのとき、Ｖｂｅはずっと増加するままだったのですが、１０Ｖに変えたとき、ある地点（Iｂが３０μ付近）をすぎたぐらいから減少しはじめました。データシートを見てもそのような特性は見られないし、トランジスタの特性からも減少ということはないと思うのですが、何度回路を組みなおしても結果が変わりません。 この実験は正しいのでしょうか。間違っていたら、どんな影響を受けたのか教えていただけたら有難いです。
- 締切済み
- 物理学
- バイポーラトランジスタについて
バイポーラトランジスタについて質問があります。 先日バイポーラトランジスタの静特性に関する測定実験を行ったのですが、リニア状態・飽和状態、ならびに電流増幅作用がいまひとつ理解できませんでした。 また、作成したnpnバイポーラトランジスタ測定回路においてコレクタ側に抵抗を接続する理由も教えていただければ幸いです。どうやら二つの理由があるらしいところまではわかったのですが、詳しくはわかりませんでした。 よろしければ簡潔に説明をお願いします。 念のため回路の概略を記述しておきます。 ベース側には電源1.5Vの乾電池、直列に1kΩ抵抗と可変抵抗がつながっており、コレクタ側には電源9Vの乾電池と510Ωの抵抗がこちらも直列に接続されており、エミッタ側はアースにのびています。 さらにIb,Ic,Vbe,Vceを測る電流計・電圧計が各部に適切に接続されている状態です。 実験内容としてVbe-Ib特性グラフ、Ib-Ic特性グラフ、Vce-Ic特性グラフを作成しました。
- ベストアンサー
- 科学
- バイポーラトランジスタの静特性について
バイポーラトランジスタ(2SC1815)をエミッタ接地し、B,C方向が正となるように直流電源を接続し、電圧電流特性(VCE-IC特性,VBE-IB特性)を測定しました（1,Vceを一定(0,2,5[V])にしてIbを変化させVbeを測定する。2,Ibを一定(10,20,30[uA])にして(Vceを変化させIcを測定する）。 そして、(1)このトランジスタのhパラメータを求めよ、(2)このエミッタ接地のトランジスタの等価回路を求めよ、と言われました。(1)において、hパラメータについては理解しているつもりです。しかし、測定したデータから、hパラメータの要素である入力抵抗、出力抵抗、電圧利得、電流利得をどのようにもとめたらよいのか分かりませんでした。(2)において、バイポーラトランジスタの直流等価回路の回路図と、α（電流増幅率）は分かったのですが、rb（ベース抵抗）をどのように求めたらよいのか分かりませんでした。 参考書やネットを駆使して答えを導き出そうとしましたが、まったくありえない値になってしまったりしています。基本的なこととは思いますが、教えていただきたく思います。よろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- トランジスタの静特性測定
トランジスタ(2SC1815)の静特性を測りました。 エミッタ接地です。 VCE-VBE曲線の挙動が腑に落ちません。VCE増大で微妙ながらVBEが低下しています。IBが5μAではほぼフラットですが、10μA以上では皆そういう挙動です。この測定結果だとhre（電圧帰還率）が負になってしまいます。なお、他の特性（VCE-IC、IB-IC、IB-VBE）は妥当な挙動です。 教科書的にはVCE増大でVBE増大のはずですが、下手な測定をすると逆の結果になることもあるのでしょうか？どのへんに失敗がありそうでしょうか？それともほんとにこういうこともあるのでしょうか？ 手作り回路と測定系はかなり慎重に確認したのですが、どうもVBE測定に自信が持てません。なおVBE測定はデジタルテスタです。 （ＰＳ：上記VCEのCE、VBEのBE、IBのB等は、どれも、コレクタとかエミッタとかベースとかの意味の添え字です。） （ＰＰＳ：レポート課題提出の援助をお願いしているわけではありません。）
- ベストアンサー
- 物理学
- ダイオードの電流電圧特性
npn型バイポーラトランジスタの電圧、電流特性を測定したのですが コレクタ電流-コレクタ・エミッタ電圧のグラフを書くと Vceが0.6V位の時までIcはほぼ一定(4.20mA～3.84mA)で これ以降はVceが0に近づくにつれIcの値が下がっていくはずなのですが Vce＝0.2Vの時にIce＝3.34mAだった後にVceが0.3、0.4Vの間にIcが それぞれ3.5mA、3.6mAと上昇してその後急激に 下がっていきました。 何回測定してもこうなるのですが これはどうしてなのでしょうか？
- ベストアンサー
- その他（学問・教育）
- トランジスタの静特性
職場で技術学習会なるものが発足してトランジスタの特性を調べています。 これまで電子部品等とは縁遠い人生を歩んできたので何を調べているのかさえ判りません。 Vce-Ic特性というものを調べているのですが これは一体何を調べているのでしょう？ Vceの電圧を上げてゆくとトランジスタのcからeへたくさん 電流が流れるということでよいのでしょうか？ トランジスタのbからeへ流れる電流も変化させて、 この値が小さいときに大きいときと比べてグラフの形が変わる理由について 調べるのが主眼なのですが、そのずっと手前でつっかえている状況です。 よろしくご教示ください。
- ベストアンサー
- 物理学
- トランジスタの特性について
ＮＰＮ型トランジスタについての質問ですが、トランジスタは増幅作用というのを持っていますが、 これはベースに流れる電流とコレクタ・エミッタ間に流れる電流がトランジスタの内部で 合わさる（合流するため）増幅したように感じるのでしょうか？ それから、ベースとエミッタ間にかかる電圧は一定で０．７Ｖくらい？らしいですが、 それはなぜでしょうか？ 最後に、コレクタ・エミッタ間にかかる電圧をあげることによって、電流も多く流れますが、 エミッタ接地電流増幅率も大きくなります。 これはなぜでしょうか？ ちなみに、これはコレクタ・エミッタ間にかかる電圧をどんどん上げていって、 ある値を越えてからは電流増幅率は一定の値に収束するのでしょうか？
- ベストアンサー
- 物理学
- トランジスタのことで
トランジスタの静特性の測定の実験をやったんですが、考察を書くうえでわからないことがでてきました。 ひとつは今回の実験はNPN形のトランジスタを使い、ベース接地回路とエミッタ接地回路について行ったんですが、コレクタ接地回路はやりませんでした。なぜコレクタ接地回路はやらなかったか？ もうひとつは、ベース接地回路において出力したときコレクタ電圧が0Vなのにコレクタ電流に電流が流れるのはなぜ？またコレクタ電流が0Aになる条件は？ というものです。 よろしくおねがいします。
- ベストアンサー
- 物理学
- トランジスタのコレクタ接地について
こんにちは。トランジスタ初心者です。 勉強していて思ったのですが、なぜベース接地静特性、エミッタ接地 静特性はあるのにコレクタ接地静特性はないのでしょうか？以前にも このような質問が２件ほどあったようなのですが、その回答を見ても 納得できません。基本的に４つのhパラメータ（入力インピーダンス、 出力インピーダンス、電流増幅率、電圧帰還率）のおのおのに、静特性 のグラフが対応しているというふうに認識しています。実際に、 ベース接地のIe-Veb特性からはベース接地の入力インピーダンス ベース接地のIc-Vcb特性からはベース接地の出力アドミタンス ベース接地のIc-Ie特性からはベース接地の電流増幅率 ベース接地のVeb-Vcb特性からはベース接地の電圧帰還率 エミッタ接地のIb-Vbe特性からはエミッタ接地の入力インピーダンス エミッタ接地のIc-Vce特性からはエミッタ接地の出力アドミタンス エミッタ接地のIc-Ib特性からはエミッタ接地の電流増幅率 エミッタ接地のVce-Vbe特性からはエミッタ接地の電圧帰還率 がそれぞれ読み取れますよね？この８つに関しては参考書等で確認 できたのですが、これと全く同様に、 コレクタ接地のIb-Vbc特性からはコレクタ接地の入力インピーダンス コレクタ接地のIe-Vec特性からはコレクタ接地の出力アドミタンス コレクタ接地のIe-Ib特性からはコレクタ接地の電流増幅率 コレクタ接地のVec-Vbc特性からはコレクタ接地の電圧帰還率 が読み取れてもいいと思うのですが、なぜコレクタ接地のグラフは 存在しないのでしょうか？ ためしに自分でこれらの特性を描こうと思っても、初心者ゆえに 全然イメージできませんでした。単純にエミッタ接地、ベース接地、 コレクタ接地の３つを同等に考えた場合、コレクタ接地の静特性の 存在を気にするのは自然な流れのような気がするのですが… 確かに、無くてもエミッタ接地hパラメータ等で計算できるので、問題 ないのはわかりますが、何かしっくりきません。 コレクタ接地だけ特別なのでしょうか？ どなたでも是非回答をお願いします。
- 締切済み
- 物理学
お礼
分かりました。 詳しい回答ありがとうございます(*^o^*)