シリコンウエハー中の金属の動き
- 半導体用シリコンウエハーの金属汚染に関しまして、アドバイスをお願い致します。
- 常温でＣｕが、シリコンウエハーの内部から表面に移動する事は、可能でしょうか？
- 裏面にゲッタリングを行う場合、半導体の加工工程で高温をかける事で金属がゲッタリングされる事は、聞いた事が有るのですが、常温程度で同じ事が起こるのでしょうか？
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シリコンウエハー中の金属の動き
半導体用シリコンウエハーの金属汚染に関しまして、アドバイスをお願い致します。 常温でＣｕが、シリコンウエハーの内部から表面に移動する事は、可能でしょうか？ 裏面にゲッタリングを行う場合、半導体の加工工程で高温をかける事で 金属がゲッタリングされる事は、聞いた事が有るのですが、常温程度で 同じ事が起こるのでしょうか？ 宜しくお願い致します。
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まあ…だぁ。 >> 常温でＣｕが、シリコンウエハーの内部から表面に移動する（動く） 表現と、 Ｃｕが、シリコンウエハー内を拡散する 表現と、 Ｃｕが、シリコンウエハーをドーピングしていく 表現が、 全て又は上二つが、質問者さんに於いては同じ表現ととらえているか、異なる表現と とらえているかを確認する前に、勝手な判断を阪神君はしている。 ベビーカーに乗って ピーポー ピーポー ウーン (´ε｀；)ｳｰﾝ… って感じかな？？ lol www。 質問内容と、ネット検索していないか？しても的が得られない質問者なら想像がつきますがね。 ネット系の論文を出す未経験者もうんざりだ。
JEITA半導体部会WG3（FEP）活動報告 http://semicon.jeita.or.jp/STRJ/STRJ/2010/11_FEP.pdf P.16 低温プロセスでの重金属ゲッタリング 室温～250℃では、問題になる重金属はCuとNi。Cuは室温でも動く CuはSi中を拡散しやすい金属。 拡散係数：温度は指数関数になっており、グラフは400℃～ なのを下に伸ばせるとすると 900℃：1E-4 → 室温：1E-7 ぐらい。 右の固溶度もそれなりにあると読めます。 ↑↓サイト名物の徘徊がやはり出現！ 技術ウンヌンより福祉の対象として暖かい眼差しが要るのだろうが、警察の厄介になりはせぬかと心配。 半導体と聞くと俺が俺がとシャシャリ出、でなくとも半導体をコジツケる迷惑なオッチャン。 http://mori.nc-net.or.jp/EokpControl?&tid=276061&event=QE0004 No.40438 銅と塩素ガスの反応 回答（11）追記 まあ、ホラ吹きの言動に惑わされて右往左往して見るのも１つの経験ですがｗ 営業職、昔なら大風呂敷ひろげ接待だけでよかった土木機械なんてのは、このオッチャン流も通用したが、今は絶対真似しちゃダメですヨ！ww
>> 常温でＣｕが、シリコンウエハーの内部から表面に移動する事は、可能でしょうか？ 実際は、殆どないの表現が正しいと思います。 ですが、何故そのような表現をしたり、金属汚染がウエハ内を伝播するのでしょうか？ 簡単に云えば、ウエハは半導体そのものです。 導体金属のイオンや電子の移動が、半導体前工程のイオン注入工程の如くなり、 イオン注入でウエハ表面にP型やN型の微細な面を作ることに似ています。 平面では、素子製作の如く、ゲートを作ることも可能ですが、ウエハ内部では困難です。 最近の微細技術と積層化技術により、積層の内部から表面へのパシベーションが可能です が、シリコンウエハだけでは難しいです。 となれば、シリコンウエハー内部にどのようにして、Cu（カッパー）を入れるのだろう？ 疑問になりますが、裏面なら問題なさそうです。 裏面も含めて、金属汚染すると、イオンドーピング効果が徐々に現れ、経年にて徐々に 半導体が導体に変化し、性能が発揮できなくなり、回路故障を発生させます。 以上の表現が判り易いと考えます。
ありえます。 濃度に換算して濃度勾配を算出してみてください 供給源がCu100%で到達先濃度目標が非常に低い濃度であれば 数年程度で有為に到達します。 ＞シリコンウエハー内部にどのようにして、Cu（カッパー）を入れるのだろう？ いやはやｗｗｗ まあ教えませんけどｗ ここらへんのCu拡散対策については 論文が沢山出ていますので、ググれば簡単に引っかかりますよ。 回答（2）（4）のような方がいると発散してしまい 真面目な議論にはならないと思いますので この質問への私めの回答は終了したいと思います。 もし必要でしたら、別質問を立ててくださいませ。
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