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ウエハを使ったショットキーダイオードの実験で・・・

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先日ショットキーダイオードの実験を行いました。

市販の半導体のウエハから切り取った小さな半導体を金属板の上におき、その半導体の上から金属の針で押さえ板と針から電圧をかけて特性を測定しました。
板、針の金属はそれぞれ3種類ほどあり、その組み合わせは全て測定しました。

簡単な装置ですがダイオード特性はちゃんと出てきました。

ですが、半導体をN型にして金属板側が表裏(ウエハの研磨してある面としていない面)と変えて測定したとき、まったく逆の特性が出てきました。
P型で同じ事をしても特性が逆になることはありませんでした。

なぜN型のウエハは表と裏で特性が逆になってしまうのでしょうか?
詳しい方教えてください!

それと市販のダイオードの特性は0.6Vくらいから電流が流れ始めると思いますが、実験では2~4Vくらいから流れ始めました。誤差にしては大きすぎるので違う理由が考えられると思うのですが・・・。
誰か詳しい方教えてください!
お願いします!
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回答 (全1件)

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詳しくはないのですが、回答がないようなので... 本当にショットキーをみているとしたら、 n基板の場合は、電極が板、針にかかわらず、研磨面でオーミックになっていた。 p基板の場合は、Si表面状態にかかわらず、板または針の電極どちらかでオーミックになったいた。 ということでしょうか。 しかし、 > 実験では2~4Vくらい より、表面の酸化膜の特性とか逆方向ブレークダウン等をみていた可 ...続きを読む
詳しくはないのですが、回答がないようなので...

本当にショットキーをみているとしたら、
n基板の場合は、電極が板、針にかかわらず、研磨面でオーミックになっていた。
p基板の場合は、Si表面状態にかかわらず、板または針の電極どちらかでオーミックになったいた。
ということでしょうか。
しかし、
> 実験では2~4Vくらい
より、表面の酸化膜の特性とか逆方向ブレークダウン等をみていた可能性が高いのではないでしょうか。
同一表面に同型電極(針または板)をたてオーミックか否かをを確認する、針/Si/板構造でCV特性をとりどちら側の容量がみえているか、等を実験すれば、何かわかるかもしれません。

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