Pch MOSFET選定方法
- Pch MOSFET選定方法について相談です
- 3Vでのタクトスイッチの長押しでの電源ON/OFF回路を設計中ですが、適切なMOSFETを選ぶ方法がわかりません
- 東芝のPch MOSFETのデータシートを見ても、飽和状態になる電圧が分かりません
- 締切済み
Pch MOSFET選定方法
ハード、特にアナログは不得手なので困っています。 いま、3V電池動作のシステムにて、タクトスイッチの長押しで電源ON/OFFする回路を設計しています。 いろいろ調べて、昔のトラ技（2007-03）に参考回路が載っており、それは積分回路（＋シュミットインバータ）で長押し時間を決めて、その後段のD-FFの出力でPchMOSFETをスイッチングさせていました。 そのパクリでいこうと考えているのですが、3Vでスイッチングさせるためには、どのようなMOSFETを選んだらいいのか、が良く分かりません。 3VでFETが飽和状態になれば良いのだろうと思うのですが、東芝のPchMOSFETで調べているのですが、データシートのどのあたりをみれば飽和状態になる電圧が分かるのか、が良く分かりません。 選定のポイント、できればこの場合のお勧めの型番などアドバイス頂ければと思います。 他にも、長押しON/OFFは普通はこうやる、などの違うやり方もアドバイス頂ければうれしいです。 宜しくお願いいたします。
- 電気設計
- 回答数1
- ありがとう数1
- みんなの回答 （1）
- 専門家の回答
みんなの回答
毎度JOです。 参照URLでPch FETをリストアップしてみました 一覧で「VGS」の項目2.5Vが、ゲーと－ソース電圧2.5V時スイッチングON抵抗値です この項目に記載の有るデバイスが使用出来る事になります この項目に記載の無いデバイスは使用出来ない事になります >>ON抵抗が極端に大きいものはきっとダメ ON抵抗値は一定なので、回路の消費電流によります 回路電源の＋入力にＦＥＴのON抵抗値が直列に入る形になります 電池駆動なので大きな電流が流れるとも思えませんが、余りに大きなON抵抗値はＦＥＴの発熱が増える事と、回路が使用出来る電圧が低下する事を示します
関連するQ&A
- MOSFETの選定方法について
回路設計の素人なので、MOSFETの選定で困っています。 現在、MOSFETのNチャンネルを使用してSW回路を作ろうと考えており、ゲートには入力電圧(5Vor12V)、ドレインには電源電圧5Vにプルアップされたマイコンポート、ソースにはGNDを接続しています。 ゲート入力電圧は5Vと12Vのどちらも対応できるように設計したいと考えています。 FETの選定で注意すべき項目をご教示頂けますと幸いです。 説明がわかりにくい場合は、追記、修正を致しますので宜しくお願い致します。
- ベストアンサー
- 電気設計
- MOSFETのD-S間の沿面距離
2SKタイプのMOSFETでスイッチング回路を +300V-R(負荷)-D(MOSFET)-S(MOSFET)-0V としたとき D-S間は300Vの耐圧をもたせるように プリント板上で、パターン間にそれなりに沿面距離を 設けることはわかります。 Ｑ１． G(MOSFET)が0Vの場合はFETはOFFでDの電位は300Vになります。 したがってD-G間の電位は300Vになります。 しかし、 (1) 「D-S間のパターンの沿面距離が必要」の記述をみたことがありません。 単に、私が見たことがないだけで沿面距離が必要なのでしょうか？ (2) それとも私の考え方が間違っていて耐圧300V相当の沿面距離は 必要ないとすれば、どのように考えて必要ないと考えるのか教えてください。
- 締切済み
- 電子部品・基板部品
- MOSFETの発熱
回路設計初心者です。 スイッチングレギュレータについて教えてください。 下記のような電源構成の基板のデバッグをしています。 外部から24Vをもらい、基板の中でまず5Vを生成し(降圧電源） その5Vから12Vを生成（昇圧電源）しています。 (外部からの入力電源範囲が10.9～30Vに対応する必要があるため) で、12Vに負荷をかけると5VのFETが異常に発熱してしまいます。 その理由がよくわかりません。 24V->5V にはナショセミのLM3485MMというコントローラを使用しています。MOSFETは東芝のTPCS8104というのを使用しており、こいつが発熱します。 5V->12V にはナショセミのLM3478MMというコントローラを使用しています。MOSFETは東芝のTPCP8001Hというのを使用しており、こいつは全く発熱しません。 降圧、昇圧ともよく見るレギュレータの回路構成です。 5VのFET以外の発熱はなく、5V,12Vとも電圧はきっちりと出ています。 バターン配置の問題か、スイッチングノイズが大きいような気がします。 部品の特性？スイッチング周波数の問題？ 原因が全くつかめない状況なので、なにかしらヒントでも いただけたら幸いです。 わかりにくい文面かもしれませんが、よろしくお願いいたします。
- ベストアンサー
- 物理学
- MOSFET ハイ(ロー)サイドのノイズ
下記のように２種類の接続をしてMOSFETをスイッチングします。 MOSFETはNチャンネルタイプで、Gate抵抗は リンギングを発生しやすくするために小さくします。 (1)FETをローサイドへ VCC - R(抵抗) - FET - GND (2)FETをハイサイドへ VCC - FET - R(抵抗) - GND (1)の場合、GNDと FETのD(ドレイン)間をオシロで測定すると FET OFF のときリンギングが発生します。 FET ONのタイミングではリンギングがまったくありません。 これは私にも理解できます。 しかし、 (2)の場合GNDと FETのS(ソース)間をオシロで測定すると FET ONのタイミングでリンギングが発生します。 FET OFFのタイミングではリンギングがまったくありません。 (1)と(2)で違います。 この理由がわかりません。 ご教授お願いします。
- ベストアンサー
- 電気・電子工学
- MOSFETの選び方について
MOSFETの選び方について 今度NPNトランジスタを用いてスイッチ回路を作ることになりました。 条件は以下のようです Vin 0[v]のときoff Vin 5[v]のときon 使用するMOSFETは２ＳＪ６８０を使おうと思っています。 学校で計算式については習ったのですが、実際に作成すようと思うとどのように値を決定したらいいのかわからなくなってしまいました。 Id=VCC/R1=5/R1[A] ゲート電圧:Ｖｇ＝Ｖｉｎ×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）[V] ここで疑問が Idはどのくらいの大きさにしたらよいのか？ R1,R2の大きさはどのくらいにしたらよいのか？ です。 よろしくお願いいたします。
- 締切済み
- 物理学
- フォトＭＯＳＦＥＴリレーについて
電気回路初心者です。 フォトＭＯＳＦＥＴリレーについて質問です。 (1)双方向に電流を流せるフォトＭＯＳＦＥＴリレーは、導通時には、２個あるＦＥＴの内 片方のＦＥＴは寄生ダイオードを介して電流が流れるのでしょうか？ (2)寄生ダイオードを介して電流が流れる場合、寄生ダイオード分の電圧降下が発生するのでしょうか？ （ＯＮ抵抗を無視したとして、リレー通過後の信号は電圧降下するのでしょうか？） (3)動作時間と復帰時間がusec以下（1ＭＨｚでＯＮＯＦＦ制御をしたい）のフォトＭＯＳＦＥＴリレーを探しているのですが、見つかりません。高速品でも数100usec程度のものしか見つからないのですが 、 これは高速化には技術的になにか難しいことがあるのでしょうか？ ＦＥＴのターンオン・オフ時間はnsecオーダー、フォトカプラも早いものがあると思うのですが、 なぜなのでしょうか。 宜しくお願いします
- ベストアンサー
- その他（学問・教育）
- PチャンルMOSFETの電流方向
ON/OFFのスイッチングをPチャネルMOSFETで構成 いようとしていますが、PチャネルMOSFETは、 ソースからドレインに電流が流れるのでしょうか。 逆に流したら壊れるのでしょうか。
- 締切済み
- 科学
- MOSFETオン時の電圧立ち上がりについて
Pch-MOSFETを使用し、Ｖｉｎを制御してFETをオン／オフする回路を検討しています。 負荷側の仕様で「電源の立ち上り時間を0.1～100msにせよ。」との規定があり、この仕様を満足するために画像の回路のようにＲとＣを入れて立ち上り時間を遅らせることを考えていますが、いろいろと文献を調べてみましたが、この回路の考え方が合っているのか？また、合っている場合はＲとＣの値をどのように算出すればよいのかがわかりません。 ＶＣＣは3.3Vです。 FETはこちら（http://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/websearch/productDetails.jsp?partKey=SSM3J130TU）を使おうと考えています。 【お聞きしたいこと】 (1)負荷へ供給する電源の立ち上りを遅らせる目的として、この回路は適正でしょうか？ (2)(1)が適正で無い場合、どのような回路が目的にあっていますでしょうか？ (2)適正である場合、ＲとＣの値はどのように算出すればよいでしょうか？ 宜しくお願い致します。
- ベストアンサー
- 物理学
- MOSFETを使ったレベル変換について
MOSFETを使用して5V信号と3.3V信号のレベル変換をしようとしています。ゲート電圧は固定でソース－ドレイン間はONさせたままで使用する予定です。そこで質問ですが、N-ch MOSFETの場合、内部に等価的にソースからドレイン方向にダイオードが入っています。ソース側に5V、ドレイン側に3.3Vを繋いだ場合、このダイオードを通って電流が流れ、3.3V系の電位が上昇してしまうことはあるのでしょうか。その場合にはソース側の電位を低く（3.3V）してやれば問題なく使えるようになりますか？回路設計中で急いでます。専門書も探しているのですが、スイッチングなどについての記述はあっても、レベル・シフトについての記述が無く、困っています。宜しくお願いします。
- ベストアンサー
- その他(PCパーツ・周辺機器)
- MOSFETのゲートドライブ電流
こんにちは 最近趣味でマイコン（PIC）を始めたばかりの初心者です。 （電子回路も詳しくありません。） PICの出力（吐き出し電流5V、最大25mA）をMOSFETにつなぎ、 12V1Aほどの負荷（DC電球）を数ヘルツ程度の低速でON/OFFする回路を考えています。 PICのプログラムはLEDで動作確認できましたが、12V1A程度の電源がないので 実験できず、机上で確かな計算をする必要があります。 ゲートには適当な抵抗をつけて直接PICにつなげばいいと思っていたんですが、 その『適当な』抵抗の値をいくつにすればいいのか、わからなくて色々調べていたら、 なにやら『ゲートドライブ電流』というのがあるとわかりました。 1/tr*Ciss*Vgで求めるということです。 使おうと思って買ってきたMOSFET（2SK2782）のデータで http://www.semicon.toshiba.co.jp/td/ja/Transistor/Power_MOS_FET/20050902_2SK2782_datasheet.pdf 計算するとtr=15ns,Ciss=880pFで、約290mAということになります。 この『ゲートドライブ電流』というのは、トランジスタとは違って D-S電流の大小にかかわらず、いつもこの値を流さないといけないんでしょうか？ 1Aの負荷をON/FFするのに、290mAも流さないといけないとしたら どっか私が誤解しているとしか思えないのですが… MOSFETにした理由は、PICの出力をほぼ直接つなげられ、（そういう回路をよく見かけたので） 部品点数が減らせるということでした。 またトランジスタをつかうと、大きな電流を扱うものはヒートシンクが 必要になりそうで工作が大変になる。というのもありました。 よろしくおねがいします。
- ベストアンサー
- 科学
お礼
さっそくのアドバイス、ありがとうございました。 なるほど、ここで絞っていけばよいのですか。。。 ＞この項目に記載の有るデバイスが使用出来る事になります このうち、ON抵抗が極端に大きいものはきっとダメなんだろう、と 想像しているのですが正しいでしょうか？ まずは、TPC61xxあたりで検討してみようかと思います。 大変助かりました。 誠にありがとうございました。