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Siバンドのフェルミエネルギー位置

表題について質問です。 図をご覧ください。 基底エネルギーが-12eVで、0eVの位置が決まりますよね。 (1)基底エネルギー-12eVはどこから計算されるか (2)0eVが何故あの位置か これが理解できません。バンド理論の本を読むと、 フェルミエネルギーは電子の数で決まるようですが、 そうすると何故あの位置なんですかね・・?

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  • shintaro-2
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回答No.1

>(1)基底エネルギー-12eVはどこから計算されるか >(2)0eVが何故あの位置か 両方物性値だから仕方がないのでは?

参考URL:
http://lecture.khlab.msl.titech.ac.jp/20080630JSAP-CrystalSchool-DFT-V3.pdf
NEW2010
質問者

お礼

早速のご回答ありがとうございます。 物性値なのですね。理解しました。参考URLは 難しくて理解できませんでした。すいません。 ところで、シリコンは真性半導体なので フェルミエネルギーがバンドギャップの間に来ると思うのですが、 何故、下方の価電子帯にぴったりくっつくのでしょうか? 上方の伝導帯と価電子帯の間とばかり思ってましたが。

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