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トランジスタについて
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通常使われているFETでは、電流が流れるチャネル全体をゲートの近傍におく必要がある、チャネルが基盤面に並行に形成されるため厚さに制約があるため、チャネル断面積を大きくしにくく、大電流には向いていないとされていたかと思います。 対策としては、 ・チップ上に多数のFETを作って、並列に接続させる ・チャネルを基盤面に対して垂直に形成し、チャネル内に多数の埋め込みゲートを入れるタイプ(V-FETとか呼ばれてたかな) という方法があったように思います。
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- wahwah2000
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簡単に言ってしまえは、電気伝導に寄与するキャリアの違いです。 FETの場合、n型なら電子、ｐ型ならホールのみです。 しかし、接合トランジスタ(バイポーラトランジスタとも言う)の場合、npnかpnp接合を形成している為、電子とホールの両方が電気伝導に寄与します。 したがってFETに比べれば大きな出力を出しやすいという利点があります。 FETの改良点にとして 材料を化合物半導体系で構成してみるか、HFET、HEMTなどのヘテロ構造をもつトランジスタ構造を採用するかだと考えられます。もしくはMOS構造(Metal-Oxide-Semiconductor構造)を採用してみてもいいと思います。
お礼
おぉー！そうですか。わかりました。 なんかいろいろ調べてみたのですが、うまく整理できなくて。助かりました。
んー・・・ パワーＭＯＳ－ＦＥＴという物はありますが？
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補足
ありがとうございます。 V-FETのことが詳しくわかりやすく書いてあるサイトをご存知でしたら教えていただけますか？