- ベストアンサー
電気電子の質問です
- みんなの回答 （1）
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
一般的な原理の問題ですから、 wikipedia を検索するだけでも十分な情報が得られると思われますが・・・。 http://ja.wikipedia.org/wiki/PN%E6%8E%A5%E5%90%88#pn.E6.8E.A5.E5.90.88.E3.81.AE.E6.95.B4.E6.B5.81.E6.80.A7 http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%82%BF#.E5.8B.95.E4.BD.9C.E3.81.AE.E5.8E.9F.E7.90.86 NPN型で説明されているが極性が反転しているだけ http://ja.wikipedia.org/wiki/MOSFET#MOSFET.E3.81.AE.E5.8B.95.E4.BD.9C
関連するQ&A
- 電子素子工学の質問なんですが
バイポーラ・トランジスタのベース・エミッタ間」の電流特性は例えば、Iｂ＜＜Iｃのnpn型だとしたら、ベースとエミッタとの繋がりはダイオードと同じ（ｐｎ結合）となりVbe＝約０．６V一定でIｂとIeの特性グラフが書けると思います。（合っているのかどうか分かりませんが。。。） しかしMOS型のFETのゲート・ソース間のはｐｎ結合でもないし、どういった電流特性が成り立つのかよくわからなかったので教えてください。 よろしくお願いします<m(__)m>
- 締切済み
- 科学
- バイポーラトランジスタのベースエミッタ間電圧
バイポーラトランジスタのベースエミッタ間電圧を表す式として Vbe=Vt*ln(Ic/Is) ・・・(1) が知られていますが、 Vbe=Vt*ln(Ie/Is) ・・・(2) という表現の場合もあります（Ic:コレクタ電流 Ie:エミッタ電流） これは、ベースエミッタ間のPN接合を流れる電流はIcではなくIeなので、 本当は(2)が正しいが、回路設計上はコレクタ電流を決定することが多いので、 hFEは十分高いものとして実用上(1)が一般的に用いられていると理解しています。 私の理解は間違っていますか？？ （飽和領域でhFEが低下してくると、(1)と(2)の差が無視できなくなってくるのですが、 このあたりを明確に説明する文章が見つからず、悶々としております。）
- 締切済み
- 物理学
- プッシュプル回路のベース電流の流れについて
トランジスタのＮＰＮとＰＮＰを使ったプッシュプル回路についてなのですが、 ＩＢがプラスの時にＮＰＮが導通すると思うのですが、この時にベース電流は どこへ流れますか？ ＮＰＮのエミッタのつながる先はＰＮＰのエミッタですがここからコレクタを出て ＶＥＥに流れるのでしょうか？
- 締切済み
- 物理学
- pnp形トランジスタ、方向電圧
無線工学で、pnp形トランジスタを使う場合、 １．ベース‐エミッタ間のpn接合面には何方向電圧 ２．コレクタ・ベース間のpn接合面には何方向電圧 を加えるのが標準でしょうか？ （順or逆）
- 締切済み
- 物理学
- 電気回路について質問です。
電気回路実験のレポートを書いていて、どうしてもわからない箇所があるので質問しました。 今、エミッタ接地トランジスタ増幅器についてのレポートを書いており、下図（信号がないときのエミッタ接地増幅器の図です）からコレクタ電流ICを求め、以下のように動作点を導出しようと考えました。 まず、青線で囲った部分ではVR2＝VF＋VReより(R2/R1+R2)Vcc=VF+RE×IEとなる。またこの式は、IEとICがほとんど同じなのでなので(R2/R1+R2)Vcc=VF+RE×ICとできる。 ここで、Vcc=１５V、R1=１００KΩ、R2=２０KΩ、RE=２KΩとし、さらにVFはベースとエミッタ間の電圧なのでVF＝０．７Vである。よってICの値が導出することができ、その値は０．９×１０^-3となった。 トランジスタの静特性のグラフに直流負荷線を引き（これはできています）、Ic＝０．９×１０^-3の部分との交点（直流負荷線のIc＝０．９×１０^-3の部分です）が動作点となる。 このように求めたのですが、直流負荷線とIc＝０．９×１０^-3の部分との交点がどのIB（ベース電流）と直流負荷線の交点にも一致しません。一致しなくてもいいんでしょうか？ 最終的にはIC、IB、VREの３波形を作図したいのですが、そのやり方もいまいちわかりません。どなたか解答よろしくお願いします。ｇ
- 締切済み
- 電気・電子工学
- ダーリントン接続について
ダーリントン接続の問題についてたずねます。 一つ目のトランジスタにはベースにib1,コレクタにic1、二つ目のトランジスタには、順番にib2,ic2が流れています。 また両方のコレクタに電圧Vがかかっており、二つ目のエミッタは接地されているという状態です。 そして全体のhfeとhieを求めよというのが問題です。 hfeは二つのhfeをかけて、ic1*ic2/ib1*ib2と解答しました。 hieの方がいまいちわかりません。 入力電流は１つ目のトランジスタのやつで、V/ib1だと思うのですが、合っているでしょうか？
- ベストアンサー
- 物理学
- トランジスタに流れる電流の式
トランジスタのVBEとIBの関係式に、 IB=(IS/hFE)*(exp(q*VBE/k*T)-1) という式がありますが、 ダイオードでは ID=IS*(exp(q*VD/k*T)-1) となっています。 トランジスタのベース-エミッタ間の接合はp-n接合ダイオードのはずなのに、なぜトランジスタの式では流れる電流が1/hFEになっているのでしょうか。
- ベストアンサー
- 物理学
- トランジスタのエミッタ接地
トランジスタ回路のエミッタ接地において、ベース電流Ibを動作点におけるベース電流Iｂｑは入力電圧 Vに伴い発生するΔIｂを用いてIb＝（Iｂｑ＋ΔIｂ）で表わせると思うのですが、VとΔIｂの関係式が分からなく困っています。よろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- トランジスタのスイッチ作用に関して
トランジスタのスイッチ作用について教えてください PNPトランジスタではベース-エミッタ間にわずかな電流を流すとコレクタ-エミッタ間に大きな電流がながれる。 B-E間に電流を流すことでC-E間の抵抗が小さくなり大きな電流が流れ、いわゆるスイッチの作用で用いられていると思うんですが、NPNトランジスタではどうなるんですか？
- ベストアンサー
- 物理学
- 発光ダイオードについて
発光ダイオードの原理についてお聞きしたいと思います。 PN接合によって起こる電子と正孔の再結合で発光が起こると思いますが、再結合はどうして起こるのでしょうか？また、発光ダイオードについて簡単に説明してくれるとうれしいです。
- ベストアンサー
- 物理学
お礼
ありがとうございました。 普段からネット辞書は避けていたので、思いつきませんでした。 今度からもっと調べて、それでも解らなかったらここに来るようにします。