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SiCのバンドギャップについて

こんにちは、 次世代パワー半導体であるSiCは、従来のSiに対して、バンドギャップが3倍であると言われております。バンドギャップが大きいと、どのような利点があるのでしょうか?また、短所はないのでしょうか?

noname#161363
noname#161363
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  • foobar
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回答No.1

メリットとして、チップ内部での電界を大きくできるので高耐圧化しやすい。 デメリットは、PN接合やショットキーバリアでの順方向電圧降下が大きくなる。 というのがあるかと思います。

noname#161363
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