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トランジスタのhパラメータについて
xpopoの回答
- xpopo
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>Vceの条件が変化するとHfeの値は変化するのでしょうか？ >実験結果ではIb-Icグラフの傾きより、Vce:0.05[V]→0.2[V] >のとき、Hfe:10→90 となりました. Vceの変化でhfeが変化するのはベース－コレクタ間のジャンクションに 広がる空乏層の厚みがVceの変化がVcbの変化としてベース－コレクタ間 のジャンクションに加わり変化します。結果として実効的なベース幅が 変化して、hfeが変化します。 一般に、この現象はアーリー効果と呼ばれてます。 ただし、KabosuOrangeさんの実験ではVecの値が極端に小さい領域で 実験されてます。Vceがベース－エミッタ間電圧VBEより低くなってくると ベース－コレクタ間のP-N接合は順バイアス状態になってしまいます。 実験のVce:0.05[V]→0.2[V]、この条件下ではベース－コレクタ間は 順バイアス状態になってます。 一方、トランジスタのベースから各電極（コレクタ、エミッタ）への 接合ダイオードのP-N接合の接合面積はベース－コレクタ間のダイオードの 方が、ベースエミッタ間よりかなり大きいので接合に流れる電流が同じ 電流値ではベース－コレクタ間接合の順方向電圧降下がベース－エミッタ間 接合の順方向電圧降下より小さくなります。 Vceが0.05Vの時はベース－コレクタのP-N接合は順バイアス状態になってる と考えられ、 Vceが０．０５V の時、ベース電圧VBEは０．６V程度はある と思いますので、ベース－コレクタ間の電圧VCEは VCE=VBE-0.05V＝0.6V-0.05V＝0.55V に順方向にバイアスされてます。 この時にはベース電流はベース－エミッタ間接合だけでなく、ベース－コレクタ 間接合にも流れている状態になります。その結果、ベース電流が多く流れるため hfeは小さく観測されることになります。 Vceが０．０５Vから０．６V程度まで上昇してゆくと、ベース－コレクタ接合 に流れる電流は徐々に減少し、hfeは大きくなってゆきます。 Vceが０．６V程度を超えたあたりから上の電圧ではベース－コレクタ間接合 は逆バイアス状態になり最初に説明したアーリー効果が支配的になります。 この場合もVceが大きくなるにしたがってhfeは大きくなってゆきます。
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