• 締切済み

p型半導体について

p型半導体における正孔濃度pと電子濃度nと導電率の温度依存性はどうなりますか?教科書にはn型半導体の場合は書かれていますが、p型の場合だとどう変わりますか?できれば詳しく理由もお願いします。

みんなの回答

  • sanori
  • ベストアンサー率48% (5664/11798)
回答No.1

こんにちは。 温度が上がると、 n型半導体では ・電子濃度(の比率)がちょっと増えて、 ・正孔濃度(の比率)がものすごく増えて、 ・導電率は上がります。 p型半導体では ・正孔濃度(の比率)はちょっと増えて、 ・電子濃度(の比率)はものすごく増えて、 ・導電率は上がります。 なぜかという説明を簡単にすると、n型とp型は、基本的に対称的に考えてよいということがあります。 実際には半導体の種類(物質の種類)ごとに非対称ですが、定性的に考えれば同じです。 温度ごとに 電子濃度 × 正孔濃度 = 定数 となりますが、これは水溶液において、 H+濃度 × OH- = 定数(常温の場合は、10^(-14) mol^2/L^2) となるのと基本的に同じことです。 (中性の場合は、H+濃度=OH-濃度=10^(-7) これをもって pH=7 と呼ぶことに決められた。) 温度が上がることは振動が増えるということなので、イオンやキャリアが発生しやすくなり、「定数」は大きくなります。 特に、少ない方のイオンやキャリアが(比率として)増えます。

関連するQ&A

  • P形半導体の正孔密度と温度の関連性について

    半導体(外因性半導体)に関して、キャリア密度の温度特性について勉強しています。 n形半導体の電子密度と温度の関係においては、低音から温度を上げていくと3領域からそれぞれ密度の上昇率が変化するということは理解できたのですが、 これがP形半導体と正孔密度に関する事となると、正孔がそもそも仮想的な概念ということからうまく説明がつかなくなってしまいます。 この正孔密度の場合についてもやはり温度帯域によって密度は変化するのでしょうか? どなたかP形半導体の正孔密度と温度依存性に関してご教授して頂けると助かります。

  • 半導体に関する質問です。

    金属と半導体の接触において、p型半導体と金属のオーミック接触の原理が理解できません。n型半導体と金属のオーミック接触は理解できたのですが、p型になるとわかりません。n型の場合は、電子の動きを考えればいいので、金属からn型半導体に電子が動いて、フェルミン準位が増加するので、バンド図で、フェルミン準位が上がるのがわかります。ただp型の場合は、正孔を考えなければなりません。ただ、金属は電子しか移動しないので、どのように金属と半導体の間の正孔のやりとりを考えたらいいのでしょうか?金属から半導体へ、または半導体から金属へ、正孔が移動すると考えられるのでしょうか?参考書などを見ると、「n型と同様に考えると」っとしか書いておらず、私には理解できません。すいませんが、教えてください。お願いします。

  • 半導体工学の問題が分かりません

    半導体工学の問題が分かりません 問題は以下の通りのものです。 1.真性Siに不純物を添加して、導電率が5S/cmのp形と抵抗率が2Ωcmのn形不純物半導体を作りたい  ただし、温度は室温、真性キャリア密度は1.5×10^10/cm^3、  電子及び正孔移動度は1500cm^2/Vs,500cm^2/Vsとする (1)添加すべき不純物密度はそれぞれいくらか (2)p形、n形半導体のフェルミ準位は、真性フェルミ準位を基準にそれぞれどの位置にあるか (3)拡散電位はどれだけか (4)p形での電子の寿命が1μs,拡散定数が10cm^2/s,n形での正孔の寿命が0.1μs,拡散定数が3cm^2/s   であるとき、電子及び正孔によって運ばれる逆方向電流密度はどれだけか (5)このダイオードに0.3Vの順バイアスを加えたとき、流れる電流はどれだけか   ただし、接合の断面積は0.3mm^2とする というものです。一応やってみましたが問題から拡散長しか求められません おねがいします。

  • p型とn型半導体での少数キャリア寿命の違い

    学生です p型半導体とn型半導体で少数キャリアの寿命に差があるりゆうを考えよという課題が出ましたがよくわかりません。 少数キャリアが正孔か電子の違いからですか?

  • 【緊急】半導体に関する課題

    大学で出された半導体に関するレポート問題がわからなくて困っています。分かる人がいらっしゃったら是非教えてもらえないでしょうか。 以下課題内容 1.半導体の特徴は不純物の導入によってその抵抗が大きく変化することと、温度依存性が金属等とは異なる振る舞いを示すことである。図(添付画像)に示すようなp型の半導体(Eg=2 eV、Ea=0.2 eV、Na=10^20 m^-3)における温度依存性において、 1)フェルミ準位の振る舞いと 2)正孔濃度の振る舞いについて、 a)真性領域 b)枯渇領域 c)不純物領域 に分け、各々の領域におけるバンド図を示しながら説明せよ。 2.シリコンのp-n結合において、ドナー濃度をNd、アクセプタ濃度をNa、真性半導体の濃度をni、ボルツマン定数をk、温度をTとするとき、接合して平衡状態になったときのバンド図を示し、発生する内部電圧を表す式を導出せよ。次に、p-n接合に順バイアスと逆バイアスを印加したときのバンド図を示して、ダイオードが整流特性を示す理由を説明せよ。

  • 半導体の統計力学

    温度Tでの伝導電子の濃度nと価電正孔濃度pを化学ポテンシャルμを用いて表すにはどうしたら良いですか?

  • 半導体の抵抗値

    半導体の熱と抵抗の関係に対する質問です。 対象は炭化ケイ素です。 半導体では熱励起によって自由に動ける電子と正孔のペアが生じる。ペアの数は熱エネルギーに依存するので温度が高くなると増える。よってキャリアが増え低効率が下がる。 と調べたのですがこれだけでは不十分だと言われました。詳しい説明をお願いいたします。 また、800度付近から温度が一定になる理由も教えてください。 いろんな本をあさっていますが理由が見つかりません。不純物のせいなのでしょうか? よろしくお願いいたします。

  • 真性半導体のバンドギャップの求め方がわかりません

    真性半導体の電気伝導率の温度依存性がexp(-Ea/(kT))で、電子の状態密度有効質量が正孔の状態密度有効質量の2倍の時のエネルギーバンドギャップを求めるにはどうしたらよいでしょうか。

  • 半導体材料の熱平衡状態

    あるn形半導体材料の熱平衡状態における多数キャリア密度nと、 少数キャリア密度pとの比が、n/p=10~8であるとします。 このn形半導体材料の多数キャリア密度nは、同じ材料が真正半導体として機能する場合のキャリア電子密度niの何倍であるか計算できません。 どなたか教えてください。 さらに、このn形半導体の導電率σnは、同じ材料が真正半導体として機能する場合の伝導体σiの何倍になるかを計算できません。 しかし、電子の移動度μeとホールの移動度μhとして等しいものとしm これをμとして計算しなくてはいけません・・・

  • 半導体デバイスの仕組みを教えてください

    はじめまして。 CPUやメモリなどのデバイスは半導体で出来ていると聞きます。 1.半導体のどのような性質が CPU やメモリを実現するのでしょうか? 2.その性質は何故に実現するのでしょうか? 半導体に関しては、 ・価電子帯と伝導帯のバンドギャップが狭く、その幅は温度に依存する。 ・N型(電子)、P型(ホール)があり、ドーピングによってその伝導度が大きく変化する。 と理解しております。 まことに不躾な質問ではございますが、宜しく御教示くださいますよう、お願い致します。