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リーク電流と温度の関係

ＩＧＢＴにゲート0Vのときのコレクターエミッタ間のリークと温度の関係式を教えてください。 リーク電流は、ＰＮ結合逆方向に電圧が印加によってＰ型半導体の少数キャリアがエネルギーの低いＮ型半導体の多数キャリアに移動することと知りました。 温度が上がればSiから自由電子が多くなりキャリアは多くなるとは思うのですが、根拠になる式は不明です。 なにか参考になる本やURLを紹介していただけませんか？

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みんなの回答

回答No.1

無責任な回答ですが・・・ リークに対する損失なんて、ほとんど無視できる範囲では？ リーク電流での温度上昇が問題になるって話も聞いたことないし・・・ １０００Ｖ、数十ＡクラスのＩＧＢＴで遮断電流が最大１ｍＡくらいなので最大定格の１万分の１・・・ ＞根拠になる式は不明です。 温度が上がるとリークが大きくなるのでは？と心配されているのなら普通はデータシートに最大値を記しているので、それ以下と言う認識で充分のような気がします。

phototrek
質問者

お礼

回答ありがとうございます。 ＩＧＢＴを使う分には十分かもしれないです。 でも現在ＩＧＢＴの開発側にいるものでしりたかったです。 自分で探してみます。

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