孤立平板導体の電位と電気容量の求め方

このQ&Aのポイント
  • 孤立平板導体に電荷Qを与えたときの導体の電位を求める方法について説明します。
  • 孤立平板導体の電位を求める際には、ガウスの法則を使用して導体外の電場Eを算出します。
  • また、孤立平板導体の電気容量Cについても触れます。
回答を見る
  • ベストアンサー

孤立平板導体の電位、電気容量の求め方

孤立平板導体に電荷Qを与えたときの導体の電位を求めようとしています。 平板導体の厚さをd、面積をSとし、d^2<<Sとします。平板導体外の電場Eはガウスの法則より、 E=Q/(2*ε_0*S) になると思います。そこで、無限遠点を基準とした導体外のある地点aの電位Vを求めようとしても、 V=∫Edr(積分範囲はaから∞) → ∞ となってしまい、孤立平板導体の電位を求められません。 電位が無限なんてありえないと思います。私の計算あるいは考えのどこかが悪いと思います。 いったい、孤立平板導体に電荷Qを与えたときの導体の電位はどうなっているのでしょうか? 実際には私は孤立平板導体の電気容量Cを知りたいのです。(C=Q/V、このVが発散してしまう・・・)

  • MKSA
  • お礼率19% (15/76)

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • sanori
  • ベストアンサー率48% (5664/11798)
回答No.1

こんばんは。 電気力線は電荷の平面に垂直で、Eはどこでも同じという近似ですから、 無限遠点を基準として、無限遠点まで積分すると、必ず無限大や無限小になってしまいます。 ですから、無限遠点以外のどこかに基準を置かなければいけません。 この問題の場合は、平面導体のど真ん中の電位をゼロとした基準で考えるのが自然、かつ、合理的です。 すなわち、平面導体のど真ん中からaまでの定積分をすればよいです。 (定積分とは言っても、単なる掛け算ですが。) なお、平面導体の端の近くや、平面導体からずっと離れたところについての考慮は割愛。

関連するQ&A

  • 帯電した導体の表面の電位、電場: 無限大では?

    こんにちは、いつも勉強させて頂いております。 今回、ふとした疑問が湧き、それが説明できずに悩んでおり、どうか回答頂ければと思います。 帯電した球形の導体があります。その半径はRとします。 総電荷量をQとします。この導体の表面の電位、電場はいくつか、という問題、というか公式ですが、 電位 = k (Q/R) 電場 = k (Q/R^2) で与えられると教わりました。 (ある点電荷Qがつくる、距離Rはなれた点での電位、電場ではありません。あくまで帯電した球体の表面の電位、表面の電場です) なぜ、無限大ではないのでしょうか。 といいますのも、「帯電した導体では電荷は表面に存在する」、はずです。すると、 表面の電位というのは、電荷から距離ゼロ離れた場所の電位、電場であり、クーロン式(上式と同じ)からも、電場、電位は無限大になるのではないでしょうか。無限遠から、この帯電した導体の表面まで点電荷を移動するのに要する仕事、という観点から考えても、その仕事は無限大になると考えます(点電荷を最表面にもってくると、電場が無限大のため、仕事も無限大)。 いかがでしょうか。何か誤解している部分があるかもしれませんが、不躾ながらその点もどうかご指摘頂ければ幸いと思っておりまして、どうぞ宜しくお願い致します。

  • 平行平面板導体

    十分広い面積Sの2枚の平行平面板導体が間隔dを隔てて 真空中に置かれているとき、 1.上の導体板に正電荷q、したのp導体板にーqの負電荷を与えるた ときに、 (1)上の導体板付近の電場Eを求める。 (2)2つの導体板の電位差Vを求める。 (3)この導体系の電気容量Cを求める。 (4)微小な電荷dqを負の極から正の極に移すに要する仕事dWを求める。 という問題で、 電場を求めるには、一般に E=σ/ε0 σ:表面の電荷面密度 で求めますが、この場合は・・? E=q/(S*ε0) でいいのでしょうか?

  • 電位・電場

    『薄い導体の孤立した同心球殻において内球(半径R1)にQ1、外球(半径R2)にQ2の電荷を与えたとき、各点の電位Ф、および電場の大きさEをガウスの法則を用いて求めよ。』という問題があります。どの様にガウスの法則を用いて解いていくのか方針が今ひとつ分かりません。解説をよろしくお願いします。

  • 電位の求め方に関してわからないところがあります

    電位の求め方に関してわからないところがあります 電位の求め方って 電界をもとめ、積分するじゃないですか V = -∫[aからb] E・dl [V] の式をつかって積分しますよね? 一方で V= Ed の式を使うときもあるじゃないですか。 平等電界?のときにV=Edの式を使うと聞いたのですが具体的にどういう使い分けをするんでしょうか? たとえば、 『真空中のある次の導体系にV[V]の電位差を与える。 静電容量と蓄えられる電荷量、蓄えられるエネルギー、導体Aに働く力を求めよ。 平板の場合は単位面積当たり、円筒の場合は単位長さ当たりの量で答えよ。 (1)ある導体系が「無限平行平板」 (2)ある導体系が「無限に長い同軸」 (3)ある導体系が「同心級」』 (この問題には不備があると思うのですがそのまま載せました) この問題があったとき、静電容量を求めるためにはQ=CVの形にしてCを求める必要があると思います。 しかし、(1)で ここでVを求めるには、積分した場合は C = ε/x [F] (ここでのxは平行平板の距離としました) 2つの式を使い分けについて教えてください。。

  • 導体球殻の電位

    内半径a 外半径b の導体球殻の中心に電気量q(>0)の点電荷を置くとき 各点における電位の分布を求めよ。無限遠方をV=0とする。 という問題で まず、ガウスの法則を用いて電場をもとめて、そこから距離の積分をしてVを求めようとしました。 まず、境界は次の三つであっていますでしょうか。 (1)0<r<aの時(2)a≦r<b(3)B≦r そして各場合の電場は (1)の時、∫ε_0EdS=q より E= q/4πr^2ε_0 (2)の時、 導体の内部なので電場E=0 (3)の時∫ε_0Eds=q E=q/4πr^2ε_0 ここで電位を求める場合の方法ですが境界の値と計算方法に自信がありません。 (3)の時、 V=-∫(∞→r)E・dr = (q/4πε_0)・(1/r) (2)の時、 V=-∫(∞→b)E・dr -∫(b→r)0・dr = (q/4πε_0)・(1/b) (1)の時、 V= -∫(∞→b)E・dr -∫(b→a)E・dr - ∫(a→r)E・dr = (q/4πε_0)(1/r) (1)の答えが解答では(q/4πε_0)(1/r) ではなく (q/4πε_0)((1/b)+(1/r)-(1/a)) となっていました。 なぜなのでしょうか。 ご教授お願い申し上げます。

  • 電位分布の問題です

    無限に広がる平面に電荷が一様に分布している。この時の電位分布を求めよ(単位面積あたりの電荷はω)という問題です。 まずガウスの法則を利用して、電場E=ω/2ε0を求めました。 その後にV=∫Edrを使って、V=(ω/2ε0)rとなりました。 そこでy軸にV、x軸にrをとり電位分布のグラフを書くと比例にグラフになりました。 そうするとrが大きくなればなるほどVも増えていくのですが、これで合っているのでしょうか 平面から離れれば離れるほどVが大きくなるというところが納得できません もしくは私の解答が間違っているのでしょうか 解説をお願いしたいです

  • 電場と電位を求めたい。

    2つ質問があります。 1つめ。 「真空中に一様に帯電している半径Rの球があり、電荷の合計はQであった。球の内部r<Rの点での電場を求めよ。ただしr=0の電位を0とする基準をとる。」 という問題なのですが、無限遠方で0になるように基準をとる話ならば本に載っていたのですが、この話ではどうやって解いていいのか戸惑っています・・・。 2つめ。添付した画像を見てください。 「図のように無限に長く太さの無視できる導体棒に線密度λで電荷が一様に分布している。 ガウスの法則を用いて導体の中心から距離l離れた点Pに作られる電場と電位を求めよ。(電位は無限遠方で0になるように基準をとる)」 という問題です。 できたら途中式まで詳しく書いてくださると助かります。よろしくお願いします!

  • 線電荷による電位

    単位長さあたりq[C]の無限直線の線電荷から距離aだけ離れた点の電位を求めたいのですが。 電界はE=q/4πε0a[V/m]となったのですが、ここから電位を求めるにはどうすればいいのでしょうか?点電荷だと-∫[∞→r]Edrというような感じで求めることができると思いますが、線電荷の場合はどうなのでしょう?

  • 電気磁気学の問題です。

    電気磁気学の問題です。 図のように導体1(内半径a,外半径b)および導体2が(内半径c、外半径d)あります。導体1は接地されており、導体2の全電荷はQ2である。 また同心球の中心からx[m](x<a)離れた位置に点電荷Qがある。このとき (1)導体2の電位をもとめよ。 (2)点電荷Qに働く力を求めよ。 という問題です。 (1)はガウスの定理からEをもとめてそれを∞からdまで積分して、V2=(Q2+Q)/(4Πεd)であってますか?? (2)はやり方が分からないのでどなたか賢明な方、教えてください。

  • 円柱導体の表面の電位について

    たびたび質問してしまいすみません。 問題を解いていて疑問に思ったことがあるので質問させてください。 半径a、長さ無限大の円柱導体に、単位長さ当たりλの電荷を与える。 このとき、導体表面の電位は何か? これを解く方針としては、 ガウスの定理より、導体の中心からの距離をrとして、a≦rでの電界は、 E=λ/2πεr これを[∞,a]の範囲で積分する。 V=-λ/2πε∫dr/r  =K(ln∞/a)  K=λ/2πε  ε:真空の誘電率とします。 =∞ となってしまいます。 何か変なんでしょうが、何が変なのかが全くわかりません。 どうやって解けばいいのでしょうか? ご教示願います。