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ドナー準位の位置について
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簡単に言えば、価電子帯と伝導体で示されているエネルギーギャップはシリコン原子のもので、1.1eVです。そこに，たとえば、ドナー(リンP）を混入すると、このリンのエネルギーギャップは小さく0.045eVしかありません。ですので、少しの熱エネルギーですぐに伝導体に励起してしまい、残ったリン原子は、プラスイオンとなるので、ここにドナー準位が出来ます。 詳しくはこちらを。 ●http://www12.plala.or.jp/ksp/solid/PNI-typeSemiconductor-intermediate/
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- imoriimori
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難しい計算理論は抜きにして（私もわかりません）、 ドナーの余分な電子はごく小さなエネルギーEdで励起されて自由電子となる、すなわち伝導帯へ上がります。 これを逆に言えば、励起前の準位は伝導帯底部よりEdだけ下に、つまりちょっとだけ下に位置することになります。他の場所には書きようがない。 この程度でだいたい間に合うのではないでしょうか。
お礼
早速のご回答ありがとうございます。「少しのエネルギーで伝導帯に移るので、伝導体より少し下に位置する」という逆の考え方なんですね。準位を求めたいのですが、いろんな条件が入ってくるので難しいですね・・・
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お礼
ご回答いただきありがとうございます。リンク先に計算方法が載っていてとても助かりました。また絵があったのでとても理解しやすかったです。ありがとうございました