- ベストアンサー
すいません。MOSFETについて教えてください。
MOSFETを使って電圧の掛け算、割り算を行う回路を作成しようと思っているのですが、どこから手をつけていいのかがわかりません・・・。どなたか回路に詳しい方教えていただけないでしょうか？
- zakobayashi
- お礼率0% (0/3)
- その他([技術者向] コンピューター)
- 回答数3
- ありがとう数0
- みんなの回答 （3）
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
通常ＭＯＳＦＥＴだけでその様な回路は作りません。 ＯＰアンプ等で作成します。 電圧の掛け算はデジタル値を掛なら乗算型Ｄ／Ａを使えば良いです、割り算はループを組みます。 アナログとアナログは、ＯＰアンプを研究して下さい。 岡村 廸夫 著の「定本 OPアンプ回路の設計」は名著ですので読んでじっくり勉強される事をお奨めします。
その他の回答 (2)
- challenger9
- ベストアンサー率67% (142/209)
No.1の方が言うような普通の増幅回路は、一定の増幅率で使うので、掛け算回路（乗算回路）とは言いません。増幅率を変化させるための電圧を別に入れてやる増幅器を乗算回路と呼びます。 乗算回路は、オペアンプを使って組んだり、専用のICも売っています。残念ながらバラのFETで組んだ例を知らないので、ちゃんとした回答になって無くてすみません。 「乗算回路」で検索すれば色々出てきますが、デジタルの二進数を掛け算する回路も乗算回路と呼ぶので、混ざった検索結果になってしまいます。
- kazusone
- ベストアンサー率54% (33/61)
学校の課題なら、教科書や図書館の資料に基本回路が載ってると思います。 掛け算回路＝２倍,３倍にする回路＝増幅回路です。 FET増幅回路で調べてみるのもいいかもしれませんよ。
関連するQ&A
- MOSFETの選び方について
MOSFETの選び方について 今度NPNトランジスタを用いてスイッチ回路を作ることになりました。 条件は以下のようです Vin 0[v]のときoff Vin 5[v]のときon 使用するMOSFETは２ＳＪ６８０を使おうと思っています。 学校で計算式については習ったのですが、実際に作成すようと思うとどのように値を決定したらいいのかわからなくなってしまいました。 Id=VCC/R1=5/R1[A] ゲート電圧:Ｖｇ＝Ｖｉｎ×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）[V] ここで疑問が Idはどのくらいの大きさにしたらよいのか？ R1,R2の大きさはどのくらいにしたらよいのか？ です。 よろしくお願いいたします。
- 締切済み
- 物理学
- MOSFET使い方について
いつもお世話になります。電子部品初心者ですがよろしくお願いします。 機器（データロガー）から4～5Vが出力されていてALARM作動時は0～0.5Vが出力されます。機器から出力されている４～5Vを使ってリレーを動かしたいのですが、よいリレーがわからなかったためMOSFETを使って添付回路を作成しました。しかし想定通りに作動しません。MOSFETのゲートは配線していない（ゲートに電圧をかけていない）状態でドレインとソースを配線するとリレーが作動してしまいます。その状態でゲートを配線しても変化なしです。なぜゲートに電圧をかけていないのにドレイン-ソース間が通電していまうのでしょうか？アドバイスをよろしくお願い致します。
- ベストアンサー
- 電子部品・基板部品
- MOSFETの選定方法について
回路設計の素人なので、MOSFETの選定で困っています。 現在、MOSFETのNチャンネルを使用してSW回路を作ろうと考えており、ゲートには入力電圧(5Vor12V)、ドレインには電源電圧5Vにプルアップされたマイコンポート、ソースにはGNDを接続しています。 ゲート入力電圧は5Vと12Vのどちらも対応できるように設計したいと考えています。 FETの選定で注意すべき項目をご教示頂けますと幸いです。 説明がわかりにくい場合は、追記、修正を致しますので宜しくお願い致します。
- ベストアンサー
- 電気設計
- MOSFETのスイッチングについて
MOSFETについての質問の過去の回答で『電源みたいにスイッチング使った電力回路』というのがありましたが、MOSFETを使いスイッチを作れるのでしょうか？ ちょっと疑問に思ったので質問しました。 できましたら、どういう回路になるとか説明もお願いします。(ちょっと難しい説明でも可)
- ベストアンサー
- 物理学
- mosfetの構造について
電子デバイスの初心者なので基本的な事かもしれませんがよろしくお願いします。 MOSFETについてですが、MOSFETは普通、ゲート、ソース、ドレイン、バルクの4端子があり、ゲートとバルク間に電位差をつけることでソース、ドレイン間のスイッチングができると理解しています。 私の場合バルクとソースを異なる電位で使用したいと考えており、4端子のMOSFETがほしいのですが通常市販されているMOSFETはどれもバルクとソースが短絡されてしまっているものばかりのように思われます。このような構造になっているのは何か理由があるのでしょうか？ MOSFETのスイッチング操作を行うためのゲート・バルクを通る回路とスイッチングで制御されるソース・ドレインの回路を独立した２つの回路のように使用したいのですがこのようなことは可能なのでしょうか？ よろしくお願いいたします。
- 締切済み
- 物理学
- パワーMOSFETに使用するハイサイドスイッチに…
パワーMOSFETに使用するハイサイドスイッチについて よろしくお願い致します。 現在、パワーMOSFETを使ったHブリッジ回路を試作しています。 （Nch2個, Pch2個, 電源電圧300V, 電流3A程度, 周波数300kHz） Hブリッジ回路上段のPchには10V程度の電圧差を与える必要があるのですが、 300kHzという速さで切り替えを行う必要があるため、 どのような回路構成にすればよいか悩んでいます。 現在の案では、ツェナーダイオード（ブレイクダウン電圧10V程度）と NchFETのドレインを直列に接続した回路に、Pchのゲートを接続して PchFETをON/OFFさせる方法はどうかと考えているのですが、 他によいアイディアはないでしょうか。 以上、よろしくお願いいたします。
- 締切済み
- 電気設計
