• ベストアンサー

電界効果トランジスタ

電界効果トランジスタ(FET)は高入力インピーダンスであり、心電計などの増幅器によく用いられているのは何故でしょうか? 皮膚抵抗による電圧降下を少なくするためだと思ったのですが、自信がないのでアドバイスよろしくお願いします。

  • 科学
  • 回答数2
  • ありがとう数7

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • Teleskope
  • ベストアンサー率61% (302/489)
回答No.2

    >> 抵抗による電圧降下を少なくするためだと <<  そうではありません。原理レベルからぜんぜん違います。 もうレポートは終わったかも知れませんが正確を期すためにレス付けておきます。  膜電位などを、抵抗の分圧として測る方法だと、高い抵抗値と浮遊容量でローパスフィルタが形成されてしまって応答速度が極めて悪いし再現性も劣悪なのです。  MOSFETは 電流ではなく電界に反応する素子です。電流が流れて抵抗で電圧が分割されるのではありません。  適切なイメージは冬場の静電気(静電誘導)です。脱いだばかりで静電気バリバリなセーターは、顔などにモアーッと強烈な「電気」を感じますね、その原理です。顔とセーターの間には電流はまったく流れてません。  FETの中では、 上記の「顔に感じる電圧」が、FETの中の電流(これは普通の流れる電流です。)の、通路の幅を狭めてるのです。狭いと電流が流れづらいですね、すなわち抵抗が大きい。つまり「静電気で抵抗値をリモコンする素子」なのです、FETは。  その電流の流れづらさの変化を、アンプで拡大して計測してます。 (電子工学的には FETに印加する電圧や電流を一定にする帰還をかける=上記のリモコン抵抗が一定になる=測定対象を乱さない、などの様々な工夫をしていますが、くど過ぎる話なので省略します。)  このようにFETは、言わば電流を全く当てにしてない素子なので、皮膚や細胞膜を隔てた測定ができます。界面電位 E=Eo+(RT/F)log活量(Nernstの式) などを測れてしまうのです。  ということで、「抵抗の大小での理解」とは全く違う次元だということです。電磁気学の出発原理であるマクスウエル方程式のレベルで異なる現象です。    

shun1986
質問者

お礼

提出は明日なのでセーフです。ありがとうございます。 なかなか難しい話が出てきましたね。臨床検査技師にここまでの知識が必要かどうか疑問ですが… 気になるのでちょっと調べてみます。

その他の回答 (1)

  • myeyesonly
  • ベストアンサー率36% (3818/10368)
回答No.1

こんにちは。その通りです。 皮膚の抵抗は100キロオーム~1メガオームというレベルですので、入力抵抗が同じ位だと、入力抵抗と皮膚の抵抗で、電圧が半分に分割されちゃいますね。 出来るだけ皮膚の抵抗にかかる分を小さくするためには高い入力抵抗である方がいいわけです。 皮膚の抵抗の10倍の入力抵抗なら、電圧の9割が入力抵抗の方にかかり、1割が皮膚という具合になります。 なので数百メガオームの入力抵抗が簡単に得られるFETが使われます。 原理的に普通のトランジスタでは、このレベルの入力抵抗を作るのは非常に難しいのですが(交流でなら理論的に作れるけど直流ではほとんど不可能)、FET、特にMOS型は何もせずに普通に使うともっと高い入力抵抗のため、静電気で壊れてしまうので、それを下げて使う位ですので、簡単な回路で実現できます。

shun1986
質問者

お礼

ありがとうございます。医用工学のレポートの参考にさせていただきます。

関連するQ&A

  • トランジスタと、電界効果トランジスタ(FET)の違い

    いわゆる一般的なトランジスタと、電界効果トランジスタ(FET)の違いについてできるだけ分かりやすく教えてください。またどのような場合によって使い分けるのでしょうか?例えば許容範囲さえ超えなければ、どちらでも増幅のために用いても構わないのでしょうか?よろしくお願いします。

  • 電界効果トランジスタ(FET)

    電界効果トランジスタ(FET)で、トップコンタクト型とボトムコンタクト型がありますが、両者には構造以外にどのような違いがあるのでしょうか?

  • 有機電界効果トランジスタ

    有機電界効果トランジスタについて質問させて頂きます。 有機電界効果トランジスタにおいて、移動度はゲート電圧に依存してしまい、無機では依存しないとのことですが、どういう原理なのでしょうか??よろしくお願い致します。

  • トランジスタとFETについて

    トランジスタとFETについて それぞれの出力(Vo)は トランジスタ:ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V FET:RDS(ON抵抗)に流した電流分、電圧降下するので+5V-RDS×電流 この考えでよろしいのでしょうか?

  • トランジスタの問題

    正しいものを選んでください 1)ベース接地のトランジスタは入カインピーダンスが低い。 2)トランジスタはベース接地で使用しなければならない。 3)接合型電界効果トランジスタは電圧制御型の素子で、ゲート電圧により空乏層の広がりを調節 する。 4)モノポーラトランジスタは電力消費が小さく、増幅率の温度特性が安定している 5)MOS型FET は、入カインピーダンスが高く静電気に強いので、集積回路 (IC)に よく使われる。 6)トランジスタを利用した増幅回路の最大出力は電源に依存する 私の解答は1.5です。 合っているでしょうか?

  • トランジスタについて

    初歩的な質問で申し訳ないのですが、 電界効果トランジスタ(FET)とバイポーラトランジスタの使い分けを教えて下さい。FETとバイポーラのメリットデメリットやそれぞれの用途などについて教えていただければ幸いです。

  • トランジスタのhの求め方

    トランジスタの特性実験で、電圧増幅率hと入力インピーダンスHの求め方がわかりません!特性グラフから求めるらしいということは聞いたのですが……あまり理解が深くないので、わかりやすく教えていただけるとありがたいです。お願いします。

  • 電界効果トランジスタの特性について

    有機の電界効果トランジスタのトランジスタ特性(SD電流-G電圧特性)を先日測定したところ、ゲート電圧をプラスへ上げていくとOFF状態になってソース・ドレイン電流が減少しました。そして何となくそのG電圧+50Vから折り返してマイナス-50Vの方にまで同様に電圧を掛けて測定してみたのですが、グラフが行きと帰りでは一致しておらず、グラフが縦の楕円のような曲線になりました。行きの+50Vの時のSD電流値より帰りの+40Vの時の電流値の方が下がるという妙な現象が起きたのですが、これはどのような原因が考えられますか。 参考書をいくつか漁ってみましたが、そのような内容は見当たりません。どなたか教えてもらえないでしょうか。ちなみに半導体層はp型です。

  • トランジスタのhパラメータについて

     現在トランジスタの勉強をしていますが、hパラメータのことがついて詳しく載っているサイト知りませんか!?電流増幅率、入力インピーダンス、電圧帰還率、出力インピーダンスなどです・・・。

  • 接合型電界効果トランジスタの増幅率

    先日、接合型電界効果トランジスタを用いで実験を行いました。 第1象限に接合型電界効果トランジスタの静特性のId-Vds特性を書きました。 (各Vgsについて書きました。) 第2象限にはId-Vgs特性を書きました。 この第2象限のグラフから、Vgs=-0.8Vのときの傾きを求めて 相互コンダクタンスを求めました。(-0.8が動作点) 同様に第1象限から出力抵抗を求め、相互コンダクタンスと掛け合わせると 約10倍となりました。 しかし、オシロスコープで入出力信号の波形を観測して、 振幅比をみると約5倍にしかなりません。 なぜなのでしょうか? 負荷抵抗があっていなく、頭打ちになっているのでしょうか?