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77Kのときの真性キャリア密度

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半導体フォトダイオードの特性について研究しています。シリコンの液体窒素温度77Kのときのniを教えてください。
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質問者が選んだベストアンサー

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半導体中のキャリア密度は、状態密度と分布関数から計算でもとまります。
半導体工学関係の教科書にはのっていると思います。

伝導帯中の電子と価電子帯中の正孔の実効質量が等しいすると、フェルミ準位は温度に関係なく禁制帯の真中にくるので、温度Tの時
ni = 2×(2×π×m×k×T/h^2)^(3/2)×exp(-Eg/2/k/T)
Eg:禁制帯幅
k:ボルツマン定数

と、求まります。計算してみてください。
補足が必要な場合は、お知らせください。
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