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半導体がダウンシフトする原理は？
http://journals.aps.org/prb/pdf/10.1103/PhysRevB.73.245309 こちらの論文に基づいた質問です。 P型半導体、N型半導体、真性半導体に ラマン顕微鏡を当て、レーザーパワー密度を増加させていくと、 ピークシフトの変化率が異なるという報告がされています。 N型＞真性＞P型 の順に低波数側へ ダウンシフトするそうですが、この理由（原理）を教えてください。
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補足
すみません。 PDFファイルのようで表示されなかったのかも知れません。 こちらのURLより宜しければ再度ご確認ください。 http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.73.245309 （Doping effects on the Raman spectra of silicon nanowires Phys. Rev. B 73, 245309 (2006) という論文です。）