１２Ｖで使えるＮＰＮトランジスタを探してます。

質問

１２Ｖで使えるＮＰＮトランジスタを探してます。
電源電圧が１２Ｖなので、ベースに加える電圧が１２Ｖになります。
例えば下記のトランジスタは使えるでしょうか。
「エミッタ・ベース間電圧 ＶＥＢＯ ７ Ｖ」となってますが、１２Ｖ以上の石でないと破損してしまうんでしょうか。

品名２ＳＣ３９６４
絶対最大定格
項目 記号 定格 単位
コレクタ・ベース間電圧 ＶＣＢＯ ４０ Ｖ
コレクタ・エミッタ間電圧 ＶＣＥＯ ４０ Ｖ
エミッタ・ベース間電圧 ＶＥＢＯ ７ Ｖ
コレクタ電流 ＩＣ ２ Ａ
ベース電流 ＩＢ ０．５ Ａ
コレクタ損失 ＰＣ １．５ Ｗ
接合温度 ＴＪ １５０ ℃
保存温度 ＴＳＴＧ －５５～１５０ ℃

アドバイスお願いします。

回答No.4

mako2_u · ベストアンサー

仕様の理解に誤解があるような。
「VEBO」はエミッタ－ベース間の逆耐電圧です。
仕様には「逆」って書いてないんですけどね。
NPNならエミッタ(N)にプラスでベース(P)にマイナス、
すなわちPN接合に逆電圧をかけた時の耐電圧です。
超えると一般的には絶縁破壊してPN逆方向が導通になります。
(破壊モードにより例外はありますが)

V(電圧)E(エミッタにプラス)B(ベースにマイナス)O(コレクタはオープン)
普通は先に書いてある方にプラスです。
ベース－エミッタ間飽和電圧はVBE(Sat)って書いてありますよね。
VEB(Sat)じゃなくて。
これはベースがプラスでエミッタがマイナスの話だからです。

PNP型の仕様書だとVEBOはマイナス電圧(-7Vとか)で書いてあります。
VEBOをエミッタにプラスでベースにマイナスと考えて「-7V」だから、
実際はベース(N)にプラスでエミッタ(P)にマイナス(PNに逆電圧)になります。

順方向はベース電流(IB)の最大定格で制約されます。
電圧をかければ電流が流れてベース－エミッタ間(VBE)は常に約0.7Vです。
のこりは外部の抵抗(ベース抵抗とか)にかかります。
ベース電流(IB)の最大定格を超えないように
外部抵抗を設定(選定)するわけで、
小さすぎるとベース電流(IB)の最大定格を超えて破壊します。
超えると一般的にはPN順方向(素子または配線)が断線不導通になります。
(これも破壊モードにより例外はありますが)

お礼

ご親切な解説有難うございました。
目から鱗とまではいきませんが、じっくり勉強します。
実験も含めトラを扱えるように頑張ります。

回答No.3

pc_net_sp

一様抵抗値も書いておきましょうか。

一般的には、１０K～４．７KΩ位が良く使われます。
抵抗値が小さいほどベースにかかる電圧が高くなります。　その分同じトランジスタでも、スイッチングスピードが多少速くなります。
が、発熱しやすくなります。　　使用方法にもよります。
抵抗の使い方に不安がある場合は、デジタルトランジスタ（デジトラ）の内部回路（等価回路）を参照するといいでしょう。

ふと思ったのですが、１２ｖ電源でトランジスタを使い、１２ｖか他電圧をコントロールしたい場合はFETをお勧めします。
Tr：ベース・コレクタ・エミッタ を FET：ゲート・ドレイン・ソース っと置き換えて接続すればOKです。
　　　抵抗を入れるのを忘れずに。　抵抗の入れ方は、Trのように入れて下さい。 FETのPDFに書いてある図の通り入れると、ショートに近い現象になります。

FETでよく使われているのが、２SK2231・２SK2232あたりです。

TrよりFETの方が良い理由は、スイッチングスピードが速いです。　電圧低下が少ないです。
アナログ波形増幅にはFETはあまり向きません。

回答No.2

misawajp

＞電源電圧が１２Ｖなので、ベースに加える電圧が１２Ｖになります。

なぜそう考えるのでしょうか

ベースに電源電圧をそのまま加えることは通常はありません

0.7V程度で動作開始、ベース電流が設計値となるよう抵抗を調整します

回答No.1

pc_net_sp

http://akizukidenshi.com/download/2SC3964.pdf

２ページ目のスイッチング時間の所にある図のように、抵抗をはさんで電圧を落とせばトランジスタは壊れません。

使用目的がわかりませんので、よく使われるトランジスタは、2SC1815・2SC1213・2SC2655・2SC5200あたりでしょうか！？
（容量順）