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Ge結晶を加圧すると、Eg(バンドギャップ)の変化

 Ge結晶を加圧すると、Eg(バンドギャップ)の変化を予想せよという問題がわからない><  上記の問題で自分なりに考えた回答は:  結晶が壊れないほどの加圧なら、結晶を加圧すると格子体積は小さくなり、結合距離が短くなるので、結合力が強くなり、結合解離エネルギーDが大きくなるので、これと比例関係にあるEg(バンドギャップ)も大きくなり、Geの導電性が下がる。 * EgとDはともに反結合性分子軌道と結合性分子軌道のエネルギー差である。 ↑ このひと言つけ加えたほうがいいですか?

みんなの回答

noname#160321
noname#160321
回答No.1

なんか、すごく間違っているような気がしますので、日本高圧力学会の会誌である「高圧力の科学と技術」を検索してみた方が良いと思います。

englandcjsh
質問者

お礼

お答いたたぎ、ありがとうございます。

englandcjsh
質問者

補足

お答いただき、ありがとうございます。問題を詳しく書くと: 一般に結晶を加圧すれば格子体積は小さくなる。設問(a,b)を参考にして、Ge結晶を加圧したとき、Egはどのように変化がみられるか。 (a)原子間距離と共有結合の強さの関係を記し、理由を述べよ (b)表のDとEgの関係を記し、そのようになることの理由を述べよ。 表は第14元素の単結晶の特性です 元素  格子定数/A゜(オームストロング) D/KJ/mol Eg/eV C 3.57 346 5.4 Si 5.43 222 1.1 Ge 5.66 188 0.66 Sn 6.49(α相)               146 0.1 です。 やっぱり体積が小さくなる分、格子定数が小さくなるので、共有結合が強くなりませんか?

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