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半導体SiCの含有量について
現在、電気自動車に搭載されるインバータ用のダイオードやトランジスタ(IGBT等)に、SiCを用いて、電力効率を上げようとする動きがあるのはご存知の通りと思います。参考に、ダイオードやトランジスタには、SiCはどれぐらい含まれるのでしょうか？(質量はどれぐらいなのでしょうか？)また、SiCの純度、並びに結晶生成にかかる時間はどれぐらいなのでしょうか？ご教示よろしくお願いします。
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- utyuutarou
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http://techon.nikkeibp.co.jp/article/WORD/20060713/119129/ 高純度の結晶から製造されるシリコン半導体素子に比べて、シリコンカーバイド半導体素子は、バンドギャップ3.25エレクトロンボルト、シリコン半導体素子に比べて3倍以上高く、電界強度も3メガボルト/ｃｍというシリコン半導体素子に比べて10倍以上の優れた耐電圧特性を持ち、400度の温度でも、作動できる耐熱性に優れた、次世代の半導体素子です、大量の放射線の暴露にさらされる宇宙用電子機器、原子力発電所の制御機器、電気駆動自動車、スマートグリッド制御電子装置、に使用されます、しかし、まだコストが高く、開発途上商品ですので、詳細はわかりません
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