• ベストアンサー

FETについて

FETについて 1.5Vの電池2つを使用して現在+5Vで動作しているものをON-OFFさせようと思います。 NMOSを使って+3Vと+5VとレベルシフトしPMOSを使い電源を供給します。 この場合+5VからRDS(ON抵抗)に流す電流分の電圧降下が発生しますか? 発生する場合5Vを降下させることなくスイッチさせることはできるのでしょうか? Relayを使えばいいのですが・・・。

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • uruz
  • ベストアンサー率49% (417/840)
回答No.1

FETのON抵抗は完全にゼロにはならないので電流を流せばオームの法則に従って電圧降下は発生します。 問題はその電圧降下分が許容されるかどうかです。 必要であればFETを並列接続して見かけのON抵抗を下げることも可能です。

その他の回答 (1)

  • Microstar
  • ベストアンサー率21% (289/1367)
回答No.2

気になったことです。昔C-MOS系のマイクロコンピュータのパターン設計をしたことがあります。 対象機器の電源電流容量を注意しないと、P-MOS Trが壊れる可能性がありますが、それがクリアされれば、動作するでしょう。 MOSは、デジタル回路によく使われるので、ON抵抗はかなり低いはずですし、電流が流れない限り5Vか0Vかどちらかになります。

関連するQ&A

  • トランジスタとFETについて

    トランジスタとFETについて それぞれの出力(Vo)は トランジスタ:ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V FET:RDS(ON抵抗)に流した電流分、電圧降下するので+5V-RDS×電流 この考えでよろしいのでしょうか?

  • 今回、リレーではなくFETを使ってみたいのですが・・・

    自分の研究の中で、 「約1000V(rms)の電圧をオイルコンデンサにためていき、一気に放電させる」 という部分があります。 コンデンサは、充電用の「電源部分(トランス・整流)」と放電用の「負荷部分(コイル)」の2つが接続されています。 それで、いざ放電させるときに、負荷にだけ電流が流れるように(電源部分に電流が流れ込まないように)、放電するときだけ電源部分を切り離してしまおうと考えました。 また、充電するときはもちろん電源部分とコンデンサは接続されていなければなりません。(充電できないので) 初めは普通に高圧用のリレー(水銀リレー)で切り離そうかと思ったのですが、ソースドレイン間の耐圧が1000VのFETが手元にあり、このソース・ドレインを1000Vラインに直列にいれて、フォトカプラでゲートに電流を流し、ON・OFF操作をすることは出来ないかと考えました。 それで質問なのですが、こういう場合、FETのゲートには何をどのように接続すればよろしいでしょうか? フォトカプラの接点の片方に別電源の電圧をかけて、それをゲートにつなぐ、でもよろしいでしょうか? それとも、別電源にしなくても、1000Vラインから抵抗などを介して、ゲートに接続する、ということが出来ますでしょうか?? 簡単に言いますと、 「1000Vラインの入り切りを、FETを使って行うためには、どのようにFETをドライブさせればよろしいでしょうか?」 ということです。 リレーを使えばそれで済むとは思うのですが、自分のスキルアップのためにも、ぜひどなたか教えていただければありがたいです。 また、FETで無くとも、何か他のやり方で1000Vラインの入り切りが出来るのであれば、ぜひ教えていただけるとありがたいです。 どうかよろしくお願いしますm(__)m

  • フォトMOSFETリレーについて

    電気回路初心者です。 フォトMOSFETリレーについて質問です。 (1)双方向に電流を流せるフォトMOSFETリレーは、導通時には、2個あるFETの内 片方のFETは寄生ダイオードを介して電流が流れるのでしょうか? (2)寄生ダイオードを介して電流が流れる場合、寄生ダイオード分の電圧降下が発生するのでしょうか? (ON抵抗を無視したとして、リレー通過後の信号は電圧降下するのでしょうか?) (3)動作時間と復帰時間がusec以下(1MHzでONOFF制御をしたい)のフォトMOSFETリレーを探しているのですが、見つかりません。高速品でも数100usec程度のものしか見つからないのですが 、 これは高速化には技術的になにか難しいことがあるのでしょうか? FETのターンオン・オフ時間はnsecオーダー、フォトカプラも早いものがあると思うのですが、 なぜなのでしょうか。 宜しくお願いします

  • FETの動作

    Pch-MOSFETの使い方がいまいちわかりません。 3.3V動作のマイコンで5Vの電圧を負荷にかけたいのですが、 マイコン--->FET(G) 5V----->FET(S) 負荷----->FET(D) と接続し、3.3VのON-OFF(マイコン制御)でFETのON-OFFができたり するものなのでしょうか? FETのデータシートにゲートしきい値電圧(VGS(th))が2Vとかありますが これはG-S間電圧が2V以上でONするとか2V以下でOFFするとかいう 意味なんでしょうか? という以前にこんな接続で動くかいっ!! って見当ハズレなことを言うてるかもしれませんが・・・ 教えて下さい。よろしくお願いします。

  • パワーMOS FETによる低電圧スイッチング

    DC1.2Vの電圧をON/OFFする方法を模索しています。電流として8A流し、抵抗負荷となります。リレーでのON/OFFでは接点の熔着が懸念されるのでパワーMOS FET等の半導体デバイスを使用したいと思っています。ON/OFFさせる電圧がDC1.2Vというところで使用できるデバイスがあるのか、また、その時の具体的な使用方法を知りたいと思います。 (DC1.2Vが不可能であれば、何Vからの動作が可能かもお願いいたします。) ゲート電圧ですが、3.3Vのマイコン出力ポートを使用してPWM出力による駆動を考えております。(元電源の電圧はDC4.8V) FETを駆動するためにトランジスター等でレベル変換も必要でしょうか? その時はどのような回路が最適かを合わせてお願いいたします。 不勉強で申し訳ありませんが、宜しくお願いいたします。

  • MOS-FETの使い方 2

    OV~8Vの直流電圧の変化をLEDの光に置き換え、CdSの抵抗値を変化させる下図のような回路を製作しています。 電圧の変化はMOS-FETを使って電流に変換しているのですが、MOS-FETの閾値が2Vほどあるので入力電圧が0V~2Vのときの電圧の変化をLEDに反映させることが出来ずに困っています。 数日前にもここでアドバイスして頂きゲート電圧を閾値分シフトする、つまり入力電圧が0VのときVgsに2Vかかるようにすればよいということが分かっているのですが、実際にやってみるとうまくいかず具体的な方法がよく理解できていなかったようです。 できればオペアンプは使わずになるべくシンプルな方法で済ませたいのですが、どなたかアドバイスお願いします。 ちなみにVinはオペアンプ4558の出力です。(http://kazukiakiyoshi.cocolog-nifty.com/photos/schem/image1.jpg)

  • FET回路についてなんですが。

    FETのゲート-ソース間電圧によりドレイン側に接続してあるLEDの輝度を調節したいのですが、FETの周りの抵抗ってどれくらいにしたらいいんでしょうか? FETはMOSで、Nch、エンハンスモード、G-S間電圧5V、ドレイン電流は50mAぐらいを目指しています。

  • FETの発熱について教えてください。

    FETの発熱について教えてください。 FET初心者です。 LEDのON/OFF、調光を制御するため、初めてFETを使ってみました。 電源は車の12vを使用、電流制限は、LM317を使用し、0.8Aとしています。 LEDはVf3.25V、電流0.8Aを3個直列につないでいます。 FETは、2SK3067を使用して、リレー代わりに動作させています。 電源側から、直列にポリスイッチ、LM317と3個のLED、FETはグランド接地という順 になっています。 FETは、Gを10kの抵抗接地して、TC4069UBPの出力で5kの抵抗を介して矩形波で 駆動しています。 4069は、調光用途です。 動作は見た目正常でLEDのON/OFF、調光など問題ありません。 気になるのは、発熱です。 放熱器なしでは、かなりの発熱があり、現在はTO220の放熱器を付けています。 FETは、発熱が少ないと聞いていたのですが、放熱器を使用するのは当然でしょうか? なるべく放熱が少なくなるような方法がありましたら、ご教授ください。

  • FETの発熱について教えてください。

    FETの発熱について教えてください。 FET初心者です。 LEDのON/OFF、調光を制御するため、初めてFETを使ってみました。 電源は車の12vを使用、電流制限は、LM317を使用し、0.8Aとしています。 LEDはVf3.25V、電流0.8Aを3個直列につないでいます。 FETは、2SK3067を使用して、リレー代わりに動作させています。 電源側から、直列にポリスイッチ、LM317と3個のLED、FETはグランド接地という順 になっています。 FETは、Gを10kの抵抗接地して、TC4069UBPの出力で5kの抵抗を介して矩形波で 駆動しています。 4069は、調光用途です。 動作は見た目正常でLEDのON/OFF、調光など問題ありません。 気になるのは、発熱です。 放熱器なしでは、かなりの発熱があり、現在はTO220の放熱器を付けています。 FETは、発熱が少ないと聞いていたのですが、放熱器を使用するのは当然でしょうか? なるべく放熱が少なくなるような方法がありましたら、ご教授ください。

  • 窪田式FET定電圧電源にお詳しい方いらっしゃいますか?

    窪田式FET定電圧電源にお詳しい方いらっしゃいますか? 外付けCD-Rドライブ用に5V,12V各3Aで作ったのですが、電圧降下がひどいのです。 電流は余裕を見て3AとしたのでトランスはAC5Aのものを使い、 ブリッジダイオードも10~20Aクラスのを使っています。 定電圧回路は窪田式オリジナルのままで定数だけ変更し、 制御FETは適当にカタログから選んでK849(60V40A)とし、 補正用トランジスタは1775AEを使って1.5mAで動作させています。 今回はかつて作ったり壊したりしたアンプの残骸で、10数年パーツ箱の中で眠っていたケミコンを多用した為、 本格運用の前に活を入れておくべきと考え、まず無負荷で所定の電圧に調整した後、負荷1Aで動作させてみたのですが、 12Vが1.2V、5Vが2Vの電圧降下で愕然としてしまいました。 とりあえず一昼夜運転して一日放置してからスイッチを入れるとかなり改善されているので、 これは古いケミコンの漏れ電流が作用したことではないか、 とりわけ基準電圧のZDに抱かせたノイズ吸収用のCに電流が流れてZDの電圧が定格に達していないためではないかと考え、 ほとんどのケミコンを新品と交換すると、かなり改善されたのですが、いまひとつというところで、 1A負荷で12Vが11.72V、5Vが4.36Vという結果です。 仮に負荷を2Aとしてみたところ、それぞれ11V、4Vとなってやはりこれは使えないな、と。 最初から気になっていたのはFETのON抵抗ということだったのですが、 調べてみると2SK849は38mΩと十分低く、問題はなさそうです。 ただ5Vの方はZD(05Z3.9)の電圧が3Vしかでておらず、これは849のカットオフ電圧のmax値ぎりぎりのところなのが気になるところで、ダイオードの固体差としても低すぎると思うのですが、別の同品番と取り替えて結果を見ようと思います。 にわか勉強ではゲート電圧の設定次第でON抵抗はかわるのですね。 12Vの方は05Z5.1を使っていて、これはカットオフ電圧は十分クリアーしているので、 ON抵抗が全体の問題ではないのは明らかです。 窪田氏の著書を読みかえしてみますと、この電源は負荷が0~150mAで電圧の変動がゼロだと自慢しておられますが、 氏の設計は2Aという電流を想定されておらず、どこかで原理的に無理があるのか、 あるいは窪田式電源というのはこの程度の安定度なのか、 電子回路をきちっと勉強していない私にはわかりません。 どなたかアドヴァイスをお願いいたします。